"mask write"指的是选择性地写入某些字节,而不写入其他字节。在一些总线协议中,如AXI,可以通过wstrb(write strobe)信号来实现这种功能。在DDR中,通常使用DM(data mask)信号来进行写掩码。 DDR4的读写操作都是以64字节(512位)为单位进行的。当开启ECC时,如果写入的数据长度小于64字节,则需要先读取相应的64字节数...
DFI 协议中的写传输(Write Transaction)定义为 MC 通过 DFI 总线向 PHY 写入数据的过程,PHY 随后负责将数据转换为 DRAM 总线形式,发送给 DRAM 颗粒。 写传输信号 写传输信号共有 4 个: dfi_wrdata dfi_wrdata_en dfi_wrdata_mask dfi_wrdata_cs dfi_wrdata_mask 是部分比特写入时,用于指示无需写入比特的...
Write DBI 与 DM 不可兼得 事实上,DDR4 并没有为 DBI 新增引脚,而是让他和 DM (Data Mask)功能复用同一个引脚。那么在写数据时,DM 和 DBI 只能选择其一。因为 DM 功能只在写数据时会用到,所以读数据时没有这样的困扰,可以同时使能写 DM 和读 DBI 功能。 如果...
DDR3 的运行流程大体为:上电复位;然后进入初始化流程,进行 write leveling、ZQ 校准后进入空闲状态,此后用户可对其进行读写操作;we#,ras#,cas# 为控制信号;操作时,先激活某一 bank 某一行,然后再给列地址,写完后换另一行需要进行 precharge 操作;为了保持数据,DDR3 需要 refresh 操作,一般规定行刷新周期为 64...
为了屏蔽不需要的数据,人们采用了数据掩码(Data I/O Mask,简称DQM)技术。通过DQM,内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。这里需要强调的是,在读取时,被屏蔽的数据仍然会从存储体传出,只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,...
为了屏蔽不需要的数据,人们采用了数据掩码(Data I/OMask,简称DQM)技术。通过DQM,内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。这里需要强调的是,在读取时,被屏蔽的数据仍然会从存储体传出,只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。 ZQ:输出驱动校准参考引脚。
Data Mask,数据屏蔽位,使能后,IP核会例化相应data mask接口,此处选择使能。 ④Nuber of Bank Machines,选择默认4; ORDERING,选择默认Normal 7.Memory Options,DDR3 MIG IP配置。 ①Input Clock Period,输入时钟设置,该时钟为DDR3 MIG IP核输入时钟,及IP核内部PLL源时钟,此处选择5000ps(200MHz);②Read Burst Ty...
在进行write时，地址总是出现两遍，第一遍后面出现data=XXXX，感觉像是data mask的问题，如果真的时DM...
DDR是Double Data Rate的缩写,即“双比特翻转”。DDR是一种技术,中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM,而在中国台湾以及欧美,工程师习惯用DRAM来称呼。 DDR的核心要义是在一个时钟周期内,上升沿和下降沿都做一次数据采样,这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。
Data Width : 64;DDR的物理位宽,这个需要根据芯片选择。DDR对应的每片存储颗粒位宽为16bit,那么4个颗粒度的DDR的总位宽为64bit; Data Mask and DBI : 数据掩码和DBI(Data Bus Inversion<数据总线反转>): 选择 DM DBI RD; Memory Address Map : 内存地址映射,选择 ROW COLUMN BANK; ...