(7)只针对ADDR_CTRL网络组,建议减小长度偏移,但不是必须的; (8)只针对CK网络组; (9)CACLM是最长的曼哈顿距离; (10)当走线长度超过1250mils时,允许适当减小线中心到线中心的距离; (11)不同DDR3的信号线; (12)CK是差分阻抗欧姆,差分阻抗是单端阻抗的2倍; (13)外接的VTT终结器是绝对不允许放置在源端(C...
DDR3中对于CMD、ADD、CTRL信号使用的是戴维南端接，端接电压为VTT=VDD/2，这将导致CMD、ADD、CTRL信号...
test_main_ctrl test_wr_ctrl_128bit test_rd_ctrl_128bit ddr3_core (1) ipsl_hmemc_top_test 顶层模块,在该模块中调用了test_main_ctrl、test_wr_ctrl_128bit、test_rd_ctrl_128bit、ddr3_core。 (2) test_main_ctrl 该模块负责将用户指令和模式转化为内部控制信号,控制 test_wr_ctrl 模块和 test_...
(6)尽量减小走线长度; (7)只针对ADDR_CTRL网络组,建议减小长度偏移,但不是必须的; (8)只针对CK网络组; (9)CACLM是最长的曼哈顿距离; (10)当走线长度超过1250mils时,允许适当减小线中心到线中心的距离; (11)不同DDR3的信号线; (12)CK是差分阻抗欧姆,差分阻抗是单端阻抗的2倍; (13)外接的VTT终结器是...
以DDR2为例,电气标准为SSTL_18,VREF和VTT为900mV。 VREF+AC noise=936mV,VREF-AC noise=864mV,VREF+DC error=918mV,VREF-DC error=882mV。 VREF的电压噪声或偏差会导致潜在的时钟误差,抖动和内存总线错误判定。例如如果VREF噪声较大或者偏离VDDQ/2较多,接收端的会检测到不期望的逻 辑电平,输入信号斜率将会...
首先、您说 addr/Ctrl 将是一个 fly-by 拓扑、但您说您正在使用星型拓扑。 addr/Ctrl 信号应采用 Fly-by 拓扑进行路由、并在末尾端接至 VTT。 数据信号将是点对点的。 对于 DDR3、不建议偏离此拓扑。 您可以在以下应用手册中获得大量设计指南:https://www.ti.com/lit/pdf/sprabi1 ...
Xilinx建议使用50Ω 特性阻抗端接电阻到远端的VTT(VDDQ/2)。这适用于大多数情况。 对于CLK差分对,建议实现100Ω 的差分阻抗,使用两个单独的50Ω 上拉电阻VDDQ和电容器。 图8显示了VTT电容器的布置。为确保可靠的电源完整性,Xilinx建议每四个终端电阻至少放置一个0.1μF电容与VTT相连。
开发板板上对DDR3的地址线和控制线都做了端接电阻上拉到VTT电压, 保证信号的质量。在PCB的设计上, 完全遵照XILINX的DDR3设计规范, 严格保证等长设计和阻抗控制。在进行DDR3硬件设计时,FPGA的DDR3管脚分配是要求的,而不能随意分配。如果用户自己实在不清楚怎么连接,那就请完全参考我们的原理图来设计。
GVDD, VREF, VTT and VPP - Input and output DDR clocks - DRAM reset signal is correct - MEM enable signal is correct Software: - RCW correct and double checked. See below - DQS skews are correct and double checked with schematics - DQ mapping should be correct. Using the exact same ...
GVDD, VREF, VTT and VPP - Input and output DDR clocks - DRAM reset signal is correct - MEM enable signal is correct Software: - RCW correct and double checked. See below - DQS skews are correct and double checked with schematics - DQ mapping should be correct. Using the exact same ...