此外，DDR的接收器采用比较器设计，其中一端连接VREF，另一端则接收信号。例如，在地址线A2上，当有VTT上拉时，A2的信号会在0和1.8V之间切换。当A2的电压高于VTT时，电流会流向VTT；而当A2的电压低于VTT时，电流则会从VTT流向DDR。因此，VTT必须具备提供和吸收电流的能力，普通的开关电源无法满足这一要求。另一...
通过提供一个适应电源电压的精确阈值,VREF实现了比固定阈值和终端和驱动正常变化情况下更大的噪声裕度。 VTT的作用是改善信号质量,最常见的规格是0.49到0.51倍VDDQ,VTT为匹配电阻上拉到的电源,VTT=VDDQ/2。 DDR的设计中,根据拓扑结构的不同,有的设计使用不到VTT,如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT,...
一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级,如下图四所示。 编辑于 2016-12-02 16:45 电路设计 模拟电路 PCB 硬件 工程师
Vref 电平的计算 在DDR3 中,使用外部参考电压来比较输入信号,以确定输入的是高电平还是低电平信号。这种外部电压通常由电阻分压电路生成,或者由外部精密电压调节器(LDO/DCDC)提供。然而,DDR4 要求 Vref 在 DRAM 内部(译注:以及驱动 DRAM 的 D...
在DDR4的设计中，DRAM内部的VREFDQ调节是通过寄存器（MR6）来实现的。该设计涉及多个关键参数，包括电压范围、步长大小、VREF步进时间以及VREF全步进时间，这些参数共同构成了DDR4设计的精细度与灵活性。表4 参考电压 每次系统启动时，DRAM Controller会执行一系列的校准操作，以调整DRMA端输入数据信号的VREFDQ。这些校准...
DDR的接收器采用比较器设计，其中一端连接VREF，另一端则是信号输入。以地址线A2为例，在VTT上拉的作用下，A2的信号在0和1.8V之间切换。当A2电压高于VTT时，电流流向VTT；而当A2电压低于VTT时，电流则从VTT流向DDR。因此，VTT必须具备提供和吸收电流的能力，这也是一般开关电源无法胜任的。同时，VTT电源还充当DDR...
Reset是DDR3新增的重置功能，通过专用引脚实现内存初始化的简化，节省电力，所有内部组件在Reset期间进入休眠状态，确保系统的高效运行。ZQ校准则利用ZQ引脚上的参考电阻，通过片上校准引擎自动调整数据驱动器和ODT电阻，确保信号传输的精确性。最后，VREF在DDR3中分为VREFCA和VREFDQ，分别服务于命令地址和数据...
Vref需与VDDQ保持一致，其电压值设定为VDDQ的一半。这一电源既可通过电源芯片提供，也可通过电阻分压的方式获取。由于Vref的电流通常较小，电阻分压设计不仅成本节约，而且布局灵活，能够紧密跟随VDDQ电压的变化。在分压电阻上并联电容会更有助于保证电源的稳定性和过滤噪声。【VTT匹配电压】VTT是匹配电阻所连接的电源...
SSTL（Stub Series Terminated Logic）是JEDEC认可的另一项重要标准，专门针对高速内存接口，特别是SDRAM。它详细规定了开关特性、特殊的端接方案以及IC供电、IO的DC和AC输入输出门限、差分信号门限和Vref电压等参数。SSTL标准定义高速内存接口参数和终结电阻，以确保信号完整性。▣ Bank 以图示为例，一个Bank内包含多个...