LPDDR4(X):一般也是这个范围,因其为低功耗产品,所以目前主要应用1866Mhz及2133Mhz。 2.电压 DDR3:标准电压是1.5V,低电压版本是1.35V。 DDR4:标准电压是1.2V, 有高频内存条电压为1.35V。 LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, VDD2是1.1V, VDDQ电压更低至0.6V。 LPDDR4X可以...
这在一定程度上被 DDR4 稍低的电源电压所抵消,DDR4 VDD 电压为 1.2V,比 DDR3 的 1.5V 显著降低。 这两种驱动选项之间的主要区别在驱动高电平时突显出来。当驱动高电平时,SSTL 继续以大约等于驱动低电平时的速率消耗电流,电流方向为接收端的 GND 到发送端的 VDD/2...
在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容最合适,它具有更小的焊接阻抗。 Vref要求更加严格...
VDD2是1.1V, VDDQ电压更低至0.6V。 LPDDR4X可以视为LPDDR4的更节能优化版本。它具有与LPDDR4相同的频率,带宽。它将I / O电压降低近了50%(1.1至0.6V),从而大大降低了存储器以及存储器控制器的功耗,总功耗降低约10-20% 更低的电压不仅功耗和发热会有所下降,稳定性也会提升不少。功耗降低除了和供电电压有关,...
对于VDD2_DDR电源,DCDC区域电源换层时,建议打≧6个0503过孔。 Part.15 对于VDD1_1V8_DDR电源,电源平面换层时,建议至少打≧2个0402过孔。 Part.16 每个电容焊盘建议至少一个过孔,对于0603或者0805封装的电容建议一个焊盘对应两个过孔,过孔的位置要靠近管脚放置,减小回路电感。
表1: DDR2和DDR3要求比较 表1显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求。 2. PCB的叠层(stackup)和阻抗 对于一块受PCB层数约束的基板(如4层板)来说,其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层,中间的两层,其中一层为GND平面层,而另一层为 VDD 平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层...
首先,我们计算 DDR3 的 Vref 电平,当驱动高电平时,接收器处的电压将是两个电压源 VDD/2 和 VDD 的叠加值。 当驱动低电平时,接收器处的电压将是一个简单的电压分压器。 然后可以通过取两个结果的平均值来获得这个DDR3设置的中心电压。可...
在DDR3中,Vdd/2被用作电压参考来决定[DQ]信号是0还是1。再看看图8的左边,接收器本质上是一个分压器电路。但在DDR4中,接收器上没有分压器电路。相反,它有一个内部电压参考,它用来决定数据线上的信号[DQ]是0还是1。这个参考电压被称为VrefDQ。VrefDQ可以使用模式寄存器MR6来设置,它需要在VrefDQ校准阶段由内...
在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容最合适,它具有更小的焊接阻抗。 Vref要求更加严格...
这句话的意思是,在DDR3中,Vdd/2被用作电压参考来决定DQ信号是0还是1。再看一下图9的左侧,接收器基本上是一个分压电路。 但在DDR4中,接收器上没有分压电路。相反,它有一个内部电压参考,用于决定数据线(DQ)上的信号是0还是1。这个电压参考被称为VrefDQ。VrefDQ可以通过模式寄存器MR6进行设置,并且需要在Vref...