和DDR3不同的是,DDR4的ODT有四种模式:Data termination disable, RTT_NOM, RTT_WR,和 RTT_PARK。Controller可以通过读写命令以及ODT Pin来控制RTT状态,RTT_PARK是DDR4新加入的选项,它一般用在多Rank的DDR配置中,比如一个系统中有Rank0, Rank1以及Rank2, 当控制器向Rank0写数据时,Rank1和Rank2在同一时间内...
和DDR3不同的是,DDR4的ODT有四种模式:Data termination disable, RTT_NOM, RTT_WR, 和 RTT_PARK。Controller可以通过读写命令以及ODT Pin来控制RTT状态,RTT_PARK是DDR4新加入的选项,它一般用在多Rank的DDR配置中,比如一个系统中有Rank0, Rank1以及Rank2, 当控制器向Rank0写数据时,Rank1和Rank2在同一时间内...
支持多种模式,如RTT_NOM、RTT_WR、RTT_PARK等 备注说明: POD:在DDR4中引入,旨在通过降低接收端终端电压和减少高电平时的电流流动来降低功耗。POD技术有助于提升DDR4在高速传输下的信号完整性和稳定性。 CTT:虽然在此表格中提及,但并非DDR内存接口中的主流技术,更多是作为历史背景或与其他技术(如SSTL)进行比较时...
支持多种操作模式:DDR4内存支持多种操作模式,如正常操作模式、自刷新模式、低功耗模式等。模式寄存器中的设置决定了内存模块在不同模式下的行为。 可编程性:内存控制器可以通过发送MRS命令来编程模式寄存器中的值。这些值在内存初始化过程中被设置,并可以在后续的操作中被修改以适应不同的应用场景和性能需求。 DDR4...
通过设置模式寄存器MR1[2:1]，我们可以精确控制来自DRAM的信号驱动强度。同时，利用模式寄存器MR2和5中的RTT_NOM、RTT_WR和RTT_PARK的组合，我们可以对终端电阻进行细致的控制。此外，Vref DQ校准也是确保DQ引脚性能稳定的关键环节。在DDR4标准中，数据线（DQ）的端接方式经历了从CTT（中心抽头端接，亦被称作SSTL...
信号驱动强度可以通过 mode register MR1[2:1] 控制。端接电阻可以通过 MR1/2/5 中的 RTT_NOM, RTT_WR & RTT_PARK 进行调节。 DQ 判决电平校准 Verf DQ Calibraton 图-8VrefDQ Calibration DDR4 数据线的端接方式(Termination Style)从 CCT(Center Tapped Termination,也称 SSTL,Series-Stud TerminatedLogic...
和DDR3不同的是,DDR4的ODT有四种模式:Data termination disable, RTT_NOM,RTT_WR, 和 RTT_PARK。Controller可以通过读写命令以及ODTPin来控制RTT状态,RTT_PARK是DDR4新加入的选项,它一般用在多Rank的DDR配置中,比如一个系统中有Rank0, Rank1以及Rank2, 当控制器向Rank0写数据时,Rank1和Rank2在同一时间内可...
Controller可以通过读写命令以及ODT Pin来控制RTT状态,RTT_PARK是DDR4新加入的选项,它一般用在多Rank的DDR配置中,比如一个系统中有Rank0, Rank1以及Rank2, 当控制器向Rank0写数据时,Rank1和Rank2在同一时间内可以为高阻抗(Hi-Z)或比较弱的终端(240,120,80,etc.), RTT_Park就提供了一种更加灵活的终端方式...
和DDR3不同的是,DDR4的ODT有四种模式:Data termination disable, RTT_NOM,RTT_WR, 和 RTT_PARK。Controller可以通过读写命令以及ODTPin来控制RTT状态,RTT_PARK是DDR4新加入的选项,它一般用在多Rank的DDR配置中,比如一个系统中有Rank0, Rank1以及Rank2, 当控制器向Rank0写数据时,Rank1和Rank2在同一时间内可...
两种终止状态,如RTT_PARK和RTT_NOM可通过ODT引脚切换 支持异步RESET引脚 ZQ校准支持 写levelization支持 符合RoHS指令 内部V(REF) DQ水平生成是可用的 支持TCAR(温控自动刷新)模式 支持低功耗自动刷新(LP ASR)模式 支持CA校验(Command /address)模式 每DRAM可寻址性(PDA) ...