多点着力,攻克DDR PHY技术瓶颈 作为一家专注于半导体IP研发和服务的高科技公司,芯耀辉科技看准了企业的需求和市场机遇,通过可靠的SI和PI分析、优化的训练算法设计、高性能的IO设计等一系列技术创新,成功突破了DDR PHY的技术瓶颈。 关键技术点一: 可靠的SI和PI分析指导 DDR数据传输的特点是:多位并行
多点着力,攻克DDR PHY技术瓶颈 作为一家专注于半导体IP研发和服务的高科技公司,芯耀辉科技看准了企业的需求和市场机遇,通过可靠的SI和PI分析、优化的训练算法设计、高性能的IO设计等一系列技术创新,成功突破了DDR PHY的技术瓶颈。 关键技术点一:可靠的SI和PI分析指导 DDR数据传输的特点是:多位并行传输,单端数据突发...
不同的频率比 – DFI接口支持1:1、1:2和1:4的内存控制器(MC)到PHY时钟频率比,以实现快速的PHY内存访问。DFI规范定义了MC和PHY之间的频率更改协议,允许设备更改内存控制器和PHY的时钟频率,而无需完全重置系统。 对MC或PHY无限制 – DFI协议并不包含MC或PHY的所有功能,也不对MC或PHY如何与系统其他方面的接口...
DDR3 PHY IP核 莱迪思的双倍数据速率(DDR3)物理接口(PHY)IP是一个通用的IP,提供了DDR3存储器控制器(MC)和DDR3存储器件之间的连接,符合JESD79- 3标准。DDR3 PHY IP在本地端提供了行业标准的DDR PHY接口(DFI)总线与存储器控制器连接。DFI协议定义了通过DFI总线,从或至DDDR3器件传输控制信息和数据所需的信号...
DDR PHY训练简介 高可靠性是系统级芯片SoC重要的质量和性能要求之一。SoC的复杂在于各个IP模块都对其产生至关重要的影响。从芯耀辉长期服务客户的经验来看,在客户的SoC设计中,访问DDR SDRAM是常见的需求,所以DDR PHY则成为了一个非常关键的IP,其能否稳定可靠的工作决定了整个SoC芯片的质量和可靠性。
准确的内存接口训练是决定存储器通道稳定性的关键。尽管可以通过三种方式来训练内存接口,但是使用固件进行 PHY 训练是快速、准确和可现场升级的最佳训练机制。Synopsys 在所有需要复杂训练的 DesignWare DDR PHY IP 中都采用了这种训练方法,可以帮助客户成功实现其内存接口的性能目标。
DDR 学习时间 Part I 将关注 DDR IP 实现,包括开源项目以及商业 IP。 本期写的是一个 Github 上的开源项目,实现的是 DDR5 PHY 的数据通路的数字部分,准确地说是 PHY 的写数据通路,看上去是一份埃及开罗Ain Shams University(ASU) 学生的作业或者毕业设计,由企业进行了赞助(Si-Vision)。
Interface）就是这样的一种规范，DFI标准的提出旨在定义一个MC与PHY之间的通用接口，以提高独立模块（IP...
证明OPENEDGES DDR存储控制器与Silvaco DDR PHY的集成。两家公司已经验证了OPENEDGES DDR3 / 4 / LPDDR3 / 4/5 / GDDR6内存控制器与适用于Samsung Foundry的Silvaco LPDDR4 / 4X PHY之间的无摩擦互操作性。 10月13日,由OPENEDGES,Samsung Foundry和Silvaco联合举办了有关IP解决方案的网络研讨会。 Related GDDR...
纵观国内众多DDR IP供应商，牛芯半导体不仅在多工艺节点均有布局，是国内少数既有DDR PHY IP又能提供DDR Controller IP的成熟厂商。同时，还能为客户提供基于DDR IP相对灵活的定制模块或功能 。最近，牛芯半导体在DDR IP产品上实现新突破，DDR3/3L/4 & LPDDR2/3/4/4X DDR MC+DDR PHY combo IP在国内外主流...