1、RK3588 DDR PHY 和各 DRAM 颗粒原理图保持与瑞芯微原厂设计一致性,包含DDR电源部分的去耦电容; 2、K3588 可支持 LPDDR4/LPDDR4X、LPDDR5,这些 DRAM 具有不同 I/O 信号,根据 DRAM 类型选择对应的信号; 3、DQ,CA 顺序全部不支持对调,如果PCB布线需要调整管脚,与瑞芯微原厂FAE沟通; 4、LPDDR4/4x/LPDDR5 ...
在追求性能的同时,低功耗设计成为了现代芯片设计的关键挑战之一。本文将深入探讨基于5nm工艺的SoC芯片DDR PHY低功耗物理设计的相关问题及解决方案。 二、5nm工艺与低功耗设计 5nm工艺因其更小的晶体管尺寸,使得在相同面积上可以集成更多的逻辑单元,从而提高了芯片的性能。然而,由于晶体管尺寸的减小,其功耗也相应增大...
而作为SoC(System on a Chip)芯片的重要组成部分,DDR PHY(双倍数据速率物理层)在处理高速数据传输中起着至关重要的作用。特别是在先进的5nm工艺下,低功耗物理设计成为了行业研究的热点。本文将探讨基于5nm工艺的SoC芯片DDR PHY低功耗物理设计的相关内容。 二、5nm工艺的优势与挑战 5nm工艺作为当前最先进的制程...
该规范旨在供内存控制器和PHY设计的开发人员使用,但不对内存控制器如何与系统设计接口或PHY如何与内存设备接口施加任何限制。 DDR PHY接口(DFI)被用于多种消费电子设备中,包括智能手机。 我们也知道了DFI是一种接口协议,它定义了将控制信息和数据从DRAM设备传输到微控制器(MC)和PHY之间,以及从微控制器(MC)和PHY之...
基于Innovus工具的28 nm DDR PHY物理设计方法 下载积分: 1500 内容提示: 第4 期2020年8 月雷达科学与技术RadarScienceandTechnologyVol. 18No. 4August2020DOI : 10.3969 /j.issn. 1672G2337.2020.04.018基于 Innovus 工具的 28nmDDRPHY 物理设计方法∗王秋实,张 杰,孟少鹏(中国电子科技集团公司第三十八研究所,...
因此，芯片设计市场上需要适应性更强的DDR PHY IP产品。4大差异化致胜因素 作为国内专业的半导体IP研发和服务供应商，芯耀辉科技紧扣市场的需求，发挥自身深厚的技术积累，开发了DDR PHY IP产品。在9月15日的IP SoC China 2021研讨会上，芯耀辉技术支持总监刘好朋以《高性能、低功耗、高可靠性DDR接口的设计与实现》...
尤其是在DDR(双倍速率同步动态随机存取存储器)物理层设计方面,面对的数据吞吐量和能效比提出了更高的需求。5nm工艺的出现使得我们能够制造更小的电路单元和更高性能的SoC芯片,而在此过程中低功耗物理设计则成为了不可或缺的一环。本文将着重讨论基于5nm工艺的SoC芯片DDR PHY低功耗物理设计的相关内容。 二、5nm...
该规范旨在供内存控制器和PHY设计的开发人员使用,但不对内存控制器如何与系统设计接口或PHY如何与内存设备接口施加任何限制。 DDR PHY接口(DFI)被用于多种消费电子设备中,包括智能手机。 我们也知道了DFI是一种接口协议,它定义了将控制信息和数据从DRAM设备传输到微控制器(MC)和PHY之间,以及从微控制器(MC)和PHY之...
多点着力,攻克DDR PHY技术瓶颈 作为一家专注于半导体IP研发和服务的高科技公司,芯耀辉科技看准了企业的需求和市场机遇,通过可靠的SI和PI分析、优化的训练算法设计、高性能的IO设计等一系列技术创新,成功突破了DDR PHY的技术瓶颈。 关键技术点一: 可靠的SI和PI分析指导 ...