ODT，即内建核心的终结电阻，其核心作用在于消耗掉某些信号，以防止它们在电路上产生反射。具体来说，它通过在片内设置适当的上下拉电阻，来确保信号的完整性。在DDR芯片的不同配置下，被ODT校准的信号也会有所不同。例如，在x4配置下，DQ、DQS、DQS#和DM信号会被校准；而在X8和X16配置下，更多的信号将被涵盖。
1、DDR ODT功能简介 ODT的全称是On-Die Termination，可以理解为芯片内部的端接， DDR信号由DDR控制器...
ddr odt工作原理 DDR(Double Data Rate)和ODT(On-Die Termination)是在内存控制器中使用的两个重要技术。DDR内存以高速率进行数据传输,而ODT技术可以提高数据传输性能。本文将解释DDR与ODT的工作原理。 首先,在开发DDR内存之前,SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)是一种较慢的存储器技术,其传输率很低...
ODT(On-Die Termination,片上终端):用于匹配阻抗,减少信号反射。 CKE(Clock Enable,时钟使能):控制时钟信号的启用和禁用。 ZQ(校准信号):用于调整驱动强度和终端电阻。 DDR工作机制与信号组成的关系 DDR的工作机制依赖于其信号组成,各类信号协同工作以实现高效的数据传输: 1. 写入操作:内存控制器发出写入命令,并发送...
因此需要用Prefetch技术来提内部数据高吞吐率(其实就是串并转换原理)。Prefetch位宽的提高,是DDR2,3,4非常显著的变化。1.DDR的容量计算:DDR3 1Gb的寻址配置,以其中128Mbx8为例说明,其中x8表示IO数据(DQ)位宽度。 2.ODT 是内建核心的终结电阻,它的功能是让一些信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成...
此后,ODT(输出驱动)使用这个寄存器的值,即可还原并联电阻网络的接近 240Ω 的并联电阻。 DRAM 制造工艺 原理弄通了,我们现在考虑下实现的事情,怎么在芯片上,把这个 Cell 阵列造出来。 这里先简单介绍下半导体芯片的制造工艺。以 CPU 举例,作为一个大规模集成电路,底层是在一片晶圆上刻蚀出来的亿万个 MOS 管(通常...
2、由于ODT技术可以迅速的开启和关闭空闲的内存芯片,在很大程度上减少了内存闲置时的功率消耗。 3、芯片内部终结电阻也要比主板的终端电阻具有更好的信号完整性。这也使得进一步提高DDR2内存的工作频率成为可能。 来自<cnblogs.com/liujinggang> 2.5.2 write leveling DR3 由于采取了fly by的结构,导致DQS和CK信号...
DDR 2&3几个新增特性的含义是:ODT( On Die Termination),DDR1 匹配放在主板上,DDR2&3把匹配直接设计到DRAM芯片内部,用来改善信号品质。OCD(Off Chip Driver)是加强上下拉驱动的控制功能,通过减小DQS与/DQS(DQS是数据Strobe,源同步时钟,数据的1和0由DQS作为时钟来判断) Skew(时滞)来增加信号的时序容限(Timing ...
ODT是On-Die Termination的缩写,其意思为内部核心终结。从DDR2内存开始内部集成了终结电阻器,主板上的终结电路被移植到了内存芯片中。在内存芯片工作 时系统会把终结电阻器屏蔽,而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器以减少信号的反射。由此DDR2内存控制器可以通过ODT同时管理所有内存引脚的 信号终结。并且阻抗值...