与其他非DDR信号间距至少隔离20 mil。长度匹配按字节通道为单位进行设置,每字节通道内数据信号DQ、数据选通DQS和数据屏蔽信号DM长度差应控制在±25 mil内(非常重要),不同字节通道的信号长度差应控制在1 000 mil内。与相匹配的DM和DQS串联匹配电阻RS值为0～33 Ω,并联匹配终端电阻RT值为25～68Ω。如果使用电阻排...
与其他非DDR信号间距至少隔离20 mil。长度匹配按字节通道为单位进行设置,每字节通道内数据信号DQ、数据选通DQS和数据屏蔽信号DM长度差应控制在±25 mil内(非常重要),不同字节通道的信号长度差应控制在1 000 mil内。与相匹配的DM和DQS串联匹配电阻RS值为0～33 Ω,并联匹配终端电阻RT值为25～68Ω。如果使用电阻排...
1. 地址、命令、控制线严格参照“时钟线CLK/CLK#”的长度; 2. DQ<0-7>、数据掩码DM0严格参考“数据选通DQS0/DQS0#”的长度; 3. DQ<8-15>、数据掩码DM1严格参考“数据选通DQS1/DQS1#”的长度; 4. DQ<16-23>、数据掩码DM2严格参考“数据选通DQS2/DQS2#”的长度; 5. DQ<24-31>、数据掩码DM3...
二、数据组 1、数据组包括DQ、DQS、DM。 2、以低8位数据为例,该数据组包括:DQ[7..0]、DQS[0]、DM[0]数据组。 3、以地平面为参考,给信号回路提供完整的地平面。 4、特征阻抗控制在50～60Ω。 5、与其他非DDR信号间距至少隔离20mil。 三、地址、命令组 1、地址组包括ADD、BANK、RAS、CAS、WE。 2、...
WRITE命令同READ命令相似,WRITE命令也需要在ACTIVE命令发出并激活Address指定的Bank的某一Row行之后发出,不同之处在于WRITE命令发出时会伴随DM信号以控制数据的Enable或者masked。当DM信号为高时,DQ数据无效;当DM信号为低时,DQ数据有效。- 写数据访问时地址中A10也会被用来判断是否需要进行Auto-precharge操作。
TDQS只用于x8 DRAM,不过TDQS还会和DM共同用用DM功能。 RDIMM0是x4 DRAM, RDIMM1是x8 DRAM, 由x4组成的RDIMM需要两个DQ选通对,其中一对连 接到x8的RDIMM1上实现同样的功能,另一个选通对对于RDIMM1是没有用处的,但是连接到了 TDSQ对上,当使能TDQS后,可以保证所有的选通脚负载一样。这样保证了信号的完整性...
AI 加速模块最大支持24个DDRC通道,且每个通道都有独立的CS/CKE/CA/DQ/DQS/DM管脚,与DDR颗粒是一一对应的。DDRC每4个通道为一组,每4个通道0出ZQ、通道1出RESETN,当每4个通道不全部使用的时候,要优先通道0和通道1(通道4/5、通道8/9、通道12/13、通道16/17、通道20/21)。 图3-23 DDRC 2通道对接一颗...
DM[1:0]:数据输入屏蔽,数据写入的时候,如果DM为高,将屏蔽写入。 DQS[1:0]:数据选通信号,为双向数据,当需要对DDR进行写入时,发送端为主控,接收端为DDR,中心与写入的数据DQ中心对齐,当需要对DDR进行数据的读出时,发送端为DDR,接受端为主控,中心与数据DQ边缘对齐注:写的时候DQS及DQ均是主控给的信号,所以采样...
在DM校准期间,首先向地址0x000写入数据模式55555555_55555555,然后向同一地址写入数据模式BBBBBBBB_BBBBBBBB,但在DQS的上升沿期间断言DM。随后发出读取请求,预期的回读模式应全为0xB,除了DM被断言的数据位置。在这些被屏蔽的位置,预期值为5。随后,完成与写入逐位去斜和写入DQS居中期间相同的步骤序列,但针对的是DM位...
与相匹配的DM和DQS串联匹配电阻RS值为0～33 Ω,并联匹配终端电阻RT值为25～68Ω。如果使用电阻排的方式匹配,则数据电阻排内不应有其他DDR信号。 地址和命令信号组:保持完整的地和电源平面。特征阻抗控制在50～60 Ω。信号线宽参考具体设计实施细则。信号组与其他非DDR信号间距至少保持在20 mil以上。组内信号应该...