在DDR3内存模块中,CLK通常指的是时钟信号线,用于同步数据的传输。CLK线上的电阻通常用于信号的阻抗匹配和滤波,以确保信号的稳定性和准确性。阻抗匹配可以减少信号在传输过程中的反射和失真,而滤波则可以减少噪声和干扰。 二、CLK电阻的命名和阻值的确定 在DDR3内存模块的设计中,CLK线上的电阻通...
Address/Command、Control与CLK归为一组,因为它们都是以CLK的下降沿由DDR控制器输出,DDR颗粒由CLK的上升沿锁存Address/Command、Control总线上的状态,所以需要严格控制CLK与Address/Command、Control之间的时序关系,确保DDR颗粒能够获得足够的、最佳的建立/保持时间。 B、误差控制,差分对对内误差尽量控制在5mil以内;数据线...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为+...
在需要测试的时钟抖动中,单独把周期抖动提出来,是因为周期抖动比较容易测试fail。 在遇到周期抖动fail时,首先需要关注电源的noise问题,如果给DDR供电电源的noise过大的话,就会导致CLK的抖动过大。 其次查看DDR走线包地是否完好,参考平面是否OK,当然这些如果是参考方案供应商设计一般不会有此问题。 最后因时钟是主芯片...
CKE单端信号阻抗50欧姆,如下图是CH0与CH1通道CKE阻抗线。 所有通道数据锁存信号DQS与时钟差分信号阻抗80欧姆,如果叠层无法满足80欧目标阻抗,至少保证阻抗满足90ohm±10%,如下图是CH0与CH1通道DQS与CLK差分阻抗线。 阻抗的知识点非常多,相信大家也竟然为此困扰,这里推荐一款可以一键智能计算阻抗自动叠层的工具:华秋DF...
CLK和DQS有长度误差要求，道理同上。并行多颗粒DDR2设计各组CLK间也要等长。总之等长会影响信号的latch位置，如果长度差过大会导致抓取错误。2、阻抗匹配问题会影响信号品质，阻抗的统一性是很重要的。这个在《高速信号设计》一书中会有详细说明。一般会采取源端匹配方式增加匹配电阻，电阻取值应该根据DDR2...
2.CLK信号：DDR SDRAM 对时钟的精确性有着很高的要求，而 DDR SDRAM 有两个时钟，一个是外部的总线时钟，一个是内部的工作时钟，在理论上 DDR SDRAM 这两个时钟应该是同步的。二.分组设定 数据组的分组应该以每个字节通道来划分，DM0、DQS0以及DQ0～DQ7为第1字节通道，DM1、DQS1以及DQ8～DQ15为第2字节通道...
所有通道数据锁存信号DQS与时钟差分信号阻抗80欧姆,如果叠层无法满足80欧目标阻抗,至少保证阻抗满足90ohm10%,如下图是CH0与CH1通道DQS与CLK差分阻抗线。 阻抗的知识点非常多,相信大家也竟然为此困扰,这里推荐一款可以一键智能计算阻抗自动叠层的工具:华秋DFM软件,使用其阻抗计算功能,可以高效轻松反算和计算所需阻抗和...
③ D Q S 信号在CLK与CLK# 的交叉点与数据信号同时生成,频率与CLK相同。 ④DQS信号持续到读脉冲突发完了为止,完了后再度恢复到高阻抗水平。 2 基本规格 DDR SDRAM的基本规格(表1)。 表1 DDR SDRAM的基本规格 3 DDR200 的PCB 设计方法 下面以汽车音响导航系统中使用的DDR200为例,从PCB叠层结构的选择、布...
1. DDR_CLK和/DDR_CLK : DDR差分Clock,是Output; 2. DDR_CKE: Clock使能,高有效,输出; 3. /DDR_CS: 片选,低有效,输出; 4. /DDR_WE: 写使能选通,低有效,命令输出; 5. /DDR_RAS: 行地址选通(Rowaddressstrobe),低有效,命令输出; 6. /DDR_CAS: 列地址选通(Columnaddressstrobe),低有效,命令输...