端接技术主要分为三种端接方式:串行端接,并行端接,差分端接 关于三种端接电阻的位置: 串行端接电阻多用作源端阻抗匹配,故一般放置靠近信号源所在端,如cpu的clk。 并行端接电阻多用于负载端阻抗匹配,故一般放置靠近负载一侧。 其中差分端接属于并行短接,个人观点。 串行端接电阻记作Rs,并行端接电阻记作Rt。如图...
位置选择：根据端接方式的不同，端接电阻的位置也有所不同。例如，串行端接电阻一般放置在靠近信号源所在端，如cpu的clk；而并行端接电阻则多用于负载端阻抗匹配，一般放置靠近负载一侧。正确的位置选择有助于最大限度地发挥端接电阻的作用。综上所述，ddr端接电阻在电路中起着至关重要的作用，通过阻...
ddt端接店主为的是能够确保整个电路的电流能够顺畅的运行。串行端接电阻多用作源端阻抗匹配,故一般放置靠近信号源所在端,如cpu的clk。上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的，一般说法是拉电流 ...端接技术主要分为三种端接方式：串行端接，并行端接，差分端接 关于三种端接电阻的位置：串行...
数据(DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,需要严格控制CLK与Address/Command、Control之间的时序关系,确保DDR颗粒能够获得足够的建立和保持时间。 同组:DDR4分为两大组,数据组和地...
Latency 差异重点：如果要对 DDR5总线的读写操作进行有效分离，相比以往DDR标准采用最少 3 根探头 (CLK...
Control logic 是芯片的主控逻辑电路,它包含了一个 Command decode,能对各控制线(CKE、CLK、CS#、WE#、CAS#、RAS#)的状态进行解码,翻译成具体的内存访问命令(如行激活、读、写、刷新等),怎么翻译在下节内容有介绍,这里先忽略。 地址总线(包含 BA,Bank 地址)上的地址将锁存到 Address register 地址寄存器,其中...
SYS_CLK_FRP为串口模块的输入时钟频率。 BAUDRATE为要设置的数据传输波特率。 整体的设计框架如下: 端口定义如下: 该模块的使用方法: 发送数据: 将要发送的数据放置到Tx_data_in[7:0]总线上,同时将Tx_wen置为高,下一个时钟时,该数据会写进tx_fifo中。如要发送多字节数据,则重复上述步骤,每个时钟向TX_FIFO...
DDR Controller的写端最好使用预读FIFO来缓存要写入的数据,当PHY_CLK和USR_CLK不匹配时,会出现写端有效信号不连续的问题。需要特别注意DDR Controller的ready信号的反压,否则会出现个别数据未写入问题或者重复写入的现象。同时采用预读FIFO可以保证读写效率。
DDR每组DQ、DQS、DQM内部要严格等长的。CLK是差分线对。所有端接对不对? RE:syzdq 谢谢! 等长是严格做到了。 CLK三组差分对的信号非常稳定=116MHZ 相位差也是正常的。 DDR内存数据线端接的串联阻抗匹配电阻全为22欧姆。 目前依然没有找到问题的根源所在. ...
所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸收掉,而不会在电路上形成反射,造成对后面信号的影响有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用再额外添加端接了,因为芯片内部可以打开这个ODT端接功能,而且端接还可调。当数据读操作的时候,主控(FPGA或CPU)读取Memory颗粒的数据,此时主控为接收端,可以根据...