在DDR3内存模块中,CLK通常指的是时钟信号线,用于同步数据的传输。CLK线上的电阻通常用于信号的阻抗匹配和滤波,以确保信号的稳定性和准确性。阻抗匹配可以减少信号在传输过程中的反射和失真,而滤波则可以减少噪声和干扰。 二、CLK电阻的命名和阻值的确定 在DDR3内存模块的设计中,CLK线上的电阻通...
Address/Command、Control与CLK归为一组,因为它们都是以CLK的下降沿由DDR控制器输出,DDR颗粒由CLK的上升沿锁存Address/Command、Control总线上的状态,所以需要严格控制CLK与Address/Command、Control之间的时序关系,确保DDR颗粒能够获得足够的、最佳的建立/保持时间。 B、误差控制,差分对对内误差尽量控制在5mil以内;数据线...
串行端接电阻多用作源端阻抗匹配,故一般放置靠近信号源所在端,如cpu的clk。上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的，一般说法是拉电流 ...端接技术主要分为三种端接方式：串行端接，并行端接，差分端接 关于三种端接电阻的位置：串行端接电阻多用作源端阻抗匹配，故一般放置靠近信号源所在端...
VTT表示这些信号都接了ODT端接电阻。fly-by 结构相对于T布线,有助于降低同步切换噪声(Simultaneous Switching Noise)。 Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会...
2.CLK信号：DDR SDRAM 对时钟的精确性有着很高的要求，而 DDR SDRAM 有两个时钟，一个是外部的总线时钟，一个是内部的工作时钟，在理论上 DDR SDRAM 这两个时钟应该是同步的。二.分组设定 数据组的分组应该以每个字节通道来划分，DM0、DQS0以及DQ0～DQ7为第1字节通道，DM1、DQS1以及DQ8～DQ15为第2字节通道...
Control logic 是芯片的主控逻辑电路,它包含了一个 Command decode,能对各控制线(CKE、CLK、CS#、WE#、CAS#、RAS#)的状态进行解码,翻译成具体的内存访问命令(如行激活、读、写、刷新等),怎么翻译在下节内容有介绍,这里先忽略。 地址总线(包含 BA,Bank 地址)上的地址将锁存到 Address register 地址寄存器,其中...
如cpu的clk；而并行端接电阻则多用于负载端阻抗匹配，一般放置靠近负载一侧。正确的位置选择有助于最大限度地发挥端接电阻的作用。综上所述，ddr端接电阻在电路中起着至关重要的作用，通过阻抗匹配、电流控制、保持信号完整性以及合理的位置选择，确保整个电路的稳定运行和数据的正确传输。
DDR4 借鉴了 SerDes 技术的眼图掩模概念来验证接收器信号,如图11所示。然而,与 SerDes 信号不同,DDR4 信号的数据流中并没有内置时钟。数据是由外部时钟信号控制的——DQS 用于数据时钟,CLK 用于地址/命令总线时钟。 因此,在进行仿真或在示波...
第一段提到,对于DDR3,在第8个数据进来后,FIFO满了,然后才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元,那么必须要求DDR的内部时钟和外部时钟有一定的约束关系,FIFO满的时候一定是以DQS下降沿采样结束的,数据手册中对DQS的下降沿与clk有一个建立时间和保持时间的约束要求的目的原来是这样。
对于Layout人员来说,对于DDR这一块,可能主要关注的是信号线之间的等长。下面我们也来复习一下,DDR各组信号需要满足的时序关系:地址/命令,控制和时钟之间等长;DQ与之对应的DQS组内等长;DQS与CLK之间有一个相对宽松的等长关系。 那么,为什么等长要这么来做?很多人都知道是为了保证各组信号之间有正常的时序,这种说法是...