CWL,全称为Write Latency,专指在DDR3及之后标准中的写入延迟。与CL类似,但它特指内存执行写操作时的延迟时间,即从内部写命令发出到第一个有效数据位到达DRAM输入端之间的时间延迟。在DDR3及之后的标准中,由于加入了写级别的命令(如Write Leveling),CWL作为一个独立参数,使得内存控制器能够更精细地调整写操作的时序...
另外，AL、CL和CWL等参数也是时序关系中的重要组成部分。AL表示命令之间的间隔时间，而CL则代表读数据从内部存储单元到数据总线所需的时间，即数据潜伏期。CWL则与写数据时的延时相关，它通常比CL要短得多。内存芯片的操作时序非常复杂，涵盖了普通读/写、突发读/写、读后接读/写等多种情况。然而，通过了解这些关...
AL:Additive Latency,附加的时延。比如,RDIMM插槽因为引入了寄存器中转,就要比UDIMM额外引入一个delay,这种额外延迟就用AL表示。 如果没有特殊情况,WL可以用CWL的值代替。 RL,CL 两个都是读时序。 RL:Read Latency。 CL:CAS Latency,读时序的列选通延迟,与CWL对应。 RL = CL + AL。 参考,WL与CWL,不再赘述。
1、Read Timing CL (CAS latency) Column-Address-Strobe 当列地址在地址信号上就绪时,CL 是内部读命令与读数据第一个比特之间的延迟时钟周期。 CL 大小定义在模式寄存器 MR0 中。SDRAM 标准定义了不同频率下需要设定的 CL 值大小。 AL (Additive Latency) AL 延迟允许紧跟激活命令后发出读命令,器件内部将读命...
CAS Latency为读取潜伏,为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期; Additive Latency为附加潜伏期,它的作用为使命令和数据总线更有效,即允许读或者写命令紧跟有效命令; CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的...
CAS Latency为读取潜伏,为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期; Additive Latency为附加潜伏期,它的作用为使命令和数据总线更有效,即允许读或者写命令紧跟有效命令; CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的...
CAS延迟(CL,Column Address Strobe Latency)是内存时序的第一个参数,表示从发出读取命令到数据实际可用的时间(以时钟周期为单位)。它是衡量内存性能的重要指标之一。 CAS写入延迟(CWL,Column Address Strobe Write Latency)是DRAM在写入数据时,从列地址被激活到数据开始被写入DRAM的延迟时间。
而由于上下沿触发的原因,也使CL=1.5和2.5成为可能,并容易实现。与CK反相的CK#保证了触发时机的准确性。 数据选取脉冲(DQS) 总结:DQS是双向信号,源自于产生数据的那一侧;读内存时候,由内存产生,DQS的沿和数据的沿对齐;写入内存时候,由外部产生,DQS信号的中间对应数据沿,此时DQS的沿对应数据最稳定的中间...
执行一个WRITE操作,在初始化期间,您通过编程DRAM的一个模式寄存器(CWL是DRAM输入的列地址和数据之间的时间延迟)来告诉DRAM CAS写延迟是多少,并且您必须始终遵循这个计时参数。内存控制器需要考虑到板跟踪延迟和飞越路由延迟,并使用它们之间的正确倾斜启动地址和数据,以便地址和数据到达内存时具有CWL延迟。
如果你要进行写操作,在初始化期间你需要通过将CAS Write Latency写入 DRAM 模式寄存器,(CWL 是写入列地址与数据之间的延迟时间长度),此后 DRAM 将始终使用该时序参数,不会变化。DDR 控制器需要负责根据板级的布线延迟以及 fly-by 结构的路由延迟,调整数据与地址信号之间的延迟,以保证地址和数据信号到达每个 DRAM 的...