涡流损耗是指铁芯产生的涡流引起的损耗。 DC损耗(PLDCR)的产生则与负载电流的平方成正比。 低负载时电流较小,因此DC损耗也较小,而负载电流增加时,DC损耗也将大幅增加。 另一方面,流过线圈的电流的AC成分取决于输入、输出电压和频率。 因此,即使负载电流发生变化,AC损耗量也不会出现较大的变化。 (另外,由于...
从ROMA的官网上，知道同步降压电路的损耗是由六部分组成的，分别是：Pmos是场效应管导通损耗，Psw是场效应管开关损耗，Pdead_time是死区时间损耗，PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗，PIC是开关电源芯片自身消化的功率。根据ROMA对其电源芯片的实测可知，场效应管开关损耗在整个...
贴片电感的DC损耗是指电感器在直流电流（DC）通过时，由于电感线圈本身的直流电阻（DC Resistance, DCR）引起的功率损耗。以下是详细解释：1. **DC损耗的定义**DC损耗是由电感线圈的直流电阻（DCR）引起的。当直流电流通过电感器时，由于线圈材料（通常是铜）存在电阻，会产生热量，从而造成能量损耗。这种损耗与电流...
如上所示，以输入电容上的功率损耗为例，负载电流Iout和占空比通常不是我们能够去调整的；那么还剩下纹波...
带来的传导损耗 ・电感(线圈)的DCR 带来的导通损耗 随着频率 的提高而增加的损耗因素 ・栅极电荷损耗 受负载电流 和频率 两者影响的损耗因素 ・开关损耗 ・DeadTime损耗 这些是和电源电路的规格变更和条件变动有关的因素。只要理解了这些关系,就可以明白探讨规格和条件变更时的注意要点。
DC/DC评估篇损耗探讨-封装选型时的热计算示例(2) 描述 继上一篇文章“封装选型时的热计算示例 1”之后,本文将作为“热计算示例 2”,继续探讨为了使用目标封装而采取的相应对策。 封装选型时的热计算示例 2 首先,为了方便确认,给出上次的损耗计算及计算结果、以及其条件下的热计算结果。
5. 磁滞损耗 磁滞损耗:如果是磁芯内的磁场变化或者反转,就会伴随磁滞(磁芯材料的BH图中所示的磁滞回线)而返回原先的状态。为了此磁滞的运动而消耗的能量会作为热损耗掉。我们将这种损耗叫做磁滞损耗,磁滞损耗与磁滞回线的面积成正比。 根据前面的分析,磁芯在磁场中会被磁化,磁化的过程会使内部的磁畴发现方向的偏转...
在保证系统正常开通运行的前提下,DC-DC转换器的电感损耗可以依据其产生的位置不同而划分成三个类型,分别是磁滞损耗、涡流损耗和电阻损耗。其中,磁滞损耗与绕绷的匝数和驱动方式有关,该种损耗的数值计算可以由该公式给出: 在该公式中,参数kh为材料的磁滞损耗常数,参数Vc为磁芯体积且单位为cm³。参数fsw为开关频率...
单板上,芯片正常工作起来后,芯片内部MOS正常开关(switching)存在开关损耗和驱动损耗、外围器件如电感、EN管脚分压电阻、FB反馈电阻均会有损耗。 因此单板上即使在无负载情况下,静态电流也会大于芯片规格书定义的值。 以SCT2450Q为例,芯片IQ为25uA,demo板上电后电路工作起来的空载输入电流约80uA。