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奈梅亨,2024年5月23日:Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括...
封装 D2PAK-7 批号 22+ 数量 832906 漏源电压 150V 连续漏极电流 185A 导通电阻 3.3mΩ@10V,104A 可售卖地 全国 型号 D2PAK-3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、...
2022 年 8 月 4 日,移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案,Qorvo 的 SiC FET 针...
封装 D2PAK-7P 批号 22+华润微深圳总代理替代进口高价产 数量 68522 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-263-7 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 380 A Rds On-漏源导通电阻 1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
TO-263-7/D2PAK-7封装 MOSFeatures • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) • Qualified according to AEC-Q101 standard Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrup...
封装: D2PAK-7 批号: 22+ 数量: 44524 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: D2PAK-7 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 478 A Rds On-漏源导通电阻: 600 uOhms Vgs - 栅极-...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IRL40SC209、 INFINEON/英飞凌、 D2PAK-7 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/英飞凌 封装: D2PAK-7 批号: 2年内 数量: 15000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体...
型号: IRFS7437TRL7PP 封装: D2PAK(7-Lead) 数量: 2007 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-7 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 295 A Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms Vgs th-栅源极...