cz法和fz法的原理 CZ法又称直拉法，是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法。FZ法又称悬浮区熔法，是控制温度梯度使狭窄的熔区移过材料而生长出单晶的方法。 CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件；FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法比FZ法更普遍被半导体...
CZ法生产的单晶硅具有尺寸大、产量高、成本低等优点,因此被广泛应用于太阳能电池、集成电路等领域。 区熔法,简称FZ法,是一种通过局部加热多晶硅棒来制备单晶硅的方法。在FZ法中,多晶硅棒被放置在加热炉中,通过控制加热区域的温度和移动速度,使硅原子在熔融状态下重新排列...
以Si为例,CZ、FZ晶体生长技术有何异同?相关知识点: 试题来源: 解析 CZ是直拉法,就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化,然后采用小的结晶“种子”——籽晶,再慢慢向上提升、结晶,获得大的单晶锭.FZ是水平区域熔化生长法,就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术....
CZ和FZ是“直拉”和“区熔”的缩写 下面仅供参考：直拉条 straight brace 直拉条架 straight-braced frame 单晶硅 monocrystalline silicon; silicon single crystal; single crystal silicon; single-crystal silicon 单晶硅棒 silicon single crystal rod 单晶硅抛光剂 polishing agent for mono-crystalline ...
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Fz法和Cz法,两种工艺区分主要根据单晶硅的长晶方式不同,分为悬浮区熔法(Fz-floatzone)和直拉法(Cz-czochralski)。 两种工艺的技术要求 区熔可以生产出高质量的高纯度单晶,但其对原料、设备和技术的要求较为苛刻,且对于多晶硅原料的尺寸要求较高,生产的晶体尺寸也较小,导致其生产成本较高。目前Fz法多应用于对硅片...
答:直拉法在Si单晶的制备中更为常用,占75%以上。直拉法制备 Si单晶的优点是:1)成本低;2)能制备更大的圆片尺寸,6英口寸 (150mm)及以上的Si单晶制备均采用直拉法,目前直拉法已制备出 400mm (16英口寸)的商用Si单晶;3)制备过程中的剩余原材料可重 复使用;4)直拉法制备的Si单晶位错密度低,0〜lOkm...
品牌 CZFZ 型号 16048JC51S1 旧型号 16048JC51S1 类型 深沟球轴承 内径 240(mm) 外径 360(mm) 厚度 37 重量 12.5 保持架及其材料 浪型保持架 使用特性 高速 轴承材料 轴承钢 用途 机床主轴 滚动体列数 单列 滚道类型 深沟滚道 样品或现货 现货 1.深沟球轴承 2.尺寸:150-1200 mm 3.材质:gcr15simn,...
MCZ法在消费高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染,能拉制出更高纯度、无氧的高阻硅,是制备高纯度,高品质硅锭,及硅锭提存的方法。但因存在熔融区因此拉制硅锭的直径受限。FZ法硅锭的直径比CZ、MCZ法小得多。
〔2〕CZ和FZ区别:CZ是直拉法,就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化,然后采用小的结晶“种子〞——籽晶,再慢慢向上提升、结晶,获得大的单晶锭。 〔3〕CZ和FZ优缺点比拟:FZ是水平区域熔化生长法,就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。直拉法在Si单晶的制备中更为常用,占75%以上。直拉法制备...