2023年8月,铠侠在Flash Memory Summit 2023上展示了其基于3D NAND和XL-Flash CXL解决方案,并透露计划推出两款CXL产品lineup。其中,CXL+XL-Flash-based设备面向内存数据库和AI推理等以性能和可靠性为核心的应用;CXL+BICS 3D NAND-powered设备则适用于大数据和AI训练等对容量要求较高的应用。 2024年11月,铠侠宣布其...
2024年11月,铠侠宣布其CXL接口存储器研发项目获得日本政府支持,计划投入360亿日元,加速CXL存储器的商业化进程,预计2030-2034年实现市场化。 与DRAM相比,CXL存储器更省电,而与NAND Flash相比,其拥有更快的读取速度。具体而言,DRAM在电力中断时数据就会消失,而CXL存储器不仅能保留断电时的数据,还能大幅降低AI驱动下的能...
上述举措表明，国内外厂商均在积极推动CXL技术的商业化进程。2024年底将是重要落地时点 当下主流的计算系统依赖于数据存储与数据处理分离的多级存储，通常采用高速缓存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存储（NAND Flash）的三级存储结构。系统运作时，需要不断在内存中往复传输信息。数据在三级存储间传输时，后级的响应时间及...
这一发展动向，部分归因于对更经济实惠且能兼容DRAM内存的需求日益旺盛，特别是在傲腾（Optane）内存停止开发之后。SK海力士在2023年的Flash Memory Summit上揭露，该公司正着手研发两种不同类型的CXL内存模块：一种侧重于带宽内存扩展（BME），另一种则专注于容量内存扩展（CME）。同时，SK海力士还致力于开发计算内存解...
与DRAM相比,CXL存储器更省电,而与NAND Flash相比,其拥有更快的读取速度。具体而言,DRAM在电力中断时数据就会消失,而CXL存储器不仅能保留断电时的数据,还能大幅降低AI驱动下的能耗。 结语 CXL技术在数据洪峰的冲击下破局而生,凭借精妙的技术原理搭建起芯片间的高效通路,成为了芯片行业协同发展的关键纽带。CXL联盟中的...
2024年底将是重要落地时点 当下主流的计算系统依赖于数据存储与数据处理分离的多级存储,通常采用高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。系统运作时,需要不断在内存中往复传输信息。数据在三级存储间传输时,后级的响应时间及传输带宽都将拖累整体性能,也就形成所谓的“存储墙”。而且由于数据...
每当应用开始工作时，就需要不断地在内存中来回传输信息，这在时间和精力上都有着较大的性能消耗。越靠近运算单元的存储器速度越快，但受功耗、散热、芯片面积的制约，其相应的容量也越小。如SRAM响应时间通常在纳秒级，DRAM则一般为100纳秒量级，NAND Flash更是高达100微秒级，当数据在这三级存储间传输时，后级的...
如上图所示，当下主流的计算系统通常采用高速缓存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存储（NAND Flash）的三级存储结构。系统运作时，需要不断地在内存中来回传输信息。数据在三级存储间传输时，后级的响应时间及传输带宽都将拖累整体的性能，并且由于数据量庞大，系统需要借助外部存储并用网络IO来访问数据，致使访问速度下降...
越靠近运算单元的存储器速度越快,但受功耗、散热、芯片面积的制约,其相应的容量也越小。如SRAM响应时间通常在纳秒级,DRAM则一般为100纳秒量级,NAND Flash更是高达100微秒级,当数据在这三级存储间传输时,后级的响应时间及传输带宽都将拖累整体的性能,形成“存储墙”。
由于与CPU的距离较远,业界对于PCI-Express以及CXL的延迟性会宽容一些,而对于SRAM、DRAM等则十分严格。据了解,SRAM响应时间通常在纳秒级,DRAM则一般为100纳秒量级,NAND Flash则高达100微秒级,而独立于CPU外的CXL内存延迟在170-250ns左右。 各种缓存、内存和存储的延迟对比(图源:CXL联盟) ...