在CVD过程中,温度是很重要的参数之一[5~9],它对SiC涂层的沉积速率、涂层形貌、晶体结构等都有很大的影响。本工作目的是研究不同沉积温度下SiC涂层的沉积速率、涂层形貌、晶体结构,同时从理论上初步分析沉积温度对SiC涂层组织结构的影响。1实验 实验工艺条件为:温度1000~1300e,H2流量为200~300ml/min,Ar流量为100~...
在CVD过程中,温度是很重要的参数之一[5~9],它对SiC涂层的沉积速率、涂层形貌、晶体结构等都有很大的影响。本工作目的是研究不同沉积温度下SiC涂层的沉积速率、涂层形貌、晶体结构,同时从理论上初步分析沉积温度对SiC涂层组织结构的影响。1实验 实验工艺条件为:温度1000~1300e,H2流量为200~300ml/min,Ar流量为100~...
.4August2004 CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响刘荣军,张长瑞,刘晓阳,周新贵,曹英斌 (国防科技大学航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南长沙410073) 摘要:以CH3SiCl3-H2体系在1000~1300e沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构...