基板温度不均匀问题是影响CVD工艺薄膜质量和性能的重要因素之一。通过采用温度监测技术、优化加热系统、调节气体流动、基板旋转以及校正控制系统等方法,可以有效判断和处理基板温度不均匀问题,提高生长薄膜的质量和一致性。
CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基体,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制...
制备多晶硅薄膜的CVD方法可分为高温工艺和低温工艺两种。高温工艺中,衬底温度超过600℃,以廉价普通玻璃为衬底;低温工艺的衬底温度低于600℃,以昂贵的石英玻璃等作衬底。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题
CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺,不同温度制备的同种薄膜(如SiO2)的密度:A.都相同;B.温度升高,略有增加;C.温度升高,略有下降;D.与温度无关。
质量传输限制淀积速率:淀积速率受反应物传输速度限制,即不能提供足够的反应物到衬底表面,速率对温度不敏感(如高压CVD.。 反应速度限制淀积速率:淀积速率受反应速度限制,这是由于反应温度或压力过低(传输速率快),提供驱动反应的能量不足,反应速率低于反应物传输速度。LPCVD属于:反应速度限制淀积速率;APCVD属于:质量传输限...
CVD(化学气相沉积)加等离子体技术。#PECVD #气相沉积设备 #气相沉积 #等离子模块 #等离子 CVD(化学气相沉积)加等离子体技术,通常称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD),是一种广泛应用于半导体制造、光电器件、薄膜涂层等 - 郑州科探于20240921发布在抖音,已经收获了2432
PVD与CVD比较,下列那种说法正确:A.PVD 薄膜的保形性更好;B.PVD 薄膜与衬底的粘附性较差;C.CVD 工艺温度更低;D.CVD 普适性更好。
相对于CVD而言,PVD工艺温度低,工艺原理简单,但所制备薄膜的台阶覆盖性、附着性和致密性不如CVD。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率
解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?