1. 使用标准温度传感器:在CVD反应器中安装标准温度传感器,如热电偶或红外线测温仪,用于实时监测反应室内的温度变化。 2. 校准设备:定期对温度传感器和控制系统进行校准,确保其精确性和稳定性。使用专业校准设备(如温度标准源)对传感器进行验证和调整。 3. 温度分布测试:进行温度分布测试,通过在反应器内不同位置放置传...
请简要描述化学气相沉积CVD的概念,并写出LPCVD Si3N4的化学反应式及沉积温度(注:使用二氯二氢硅 SiH2Cl2和氨气NH3沉积)。(8分) 相关知识点: 试题来源: 解析答案:化学气相沉积是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应,生成固态物质并沉积在衬底表面形成薄膜的过程。
金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，浙江求是半导体设备有限公司和浙江晶盛机电股份有限公司申请一项名为“一种CVD反应器的温度控制方法和系统”的专利，公开号CN 118814145 A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种CVD反应器的温度控制方法和系统，该CVD反应器的温度控制方法包括获取CVD...
1)按温度:有低温 ( 200 ~ 500℃)、中温 ( 500 ~ 1000℃) 和高温 ( 1000 ~ 1300℃) CVD。 2)按压力:有常压 ( APCVD ) 和低压 ( LPCVD ) 。 3)按反应室壁温度:有热壁 CVD 和冷壁 CVD 。热壁是指壁温高于晶片温度,通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于...
CVD技术的不足,一是沉积温度高,可达800~1100℃。在这样高的温度下工件易于变形,特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件,其用途会受到一定的限制;二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性,因此必须采取一定的防护措施。
流化床CVD法制备单壁碳纳米管：反应温度与时间的影响 维普资讯 http://www.cqvip.com
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。相关知识点: 试题来源: 解析 反应室类型热壁:反应室腔壁与硅片及支撑件同时...
金融界 2025 年 1 月 28 日消息,国家知识产权局信息显示,艾克斯特朗欧洲公司取得一项名为“CVD 反应器和用于调节基板的表面温度的方法”的专利,授权公告号 CN 114867889 B,申请日期为 …
管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算 在热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石膜的传统管道反应器中,对不同传热机制下管道壁温度场的空间分布进行了模拟计算.结果表明,管道壁温度场在纯热辐射机制作用下的分布很不均匀;在绝热和恒温的边界条件下考虑热传导作用后,管道壁温度分布的均匀性大大提高;进一步的热对流作用仅...