计算了Cu(111)面的表面能及功函数。计算所得到结果与实验数据吻合较好。 关键词:第一性原理;表面能;功函数;Cu(1l1) 中国分类号:0463.1 文献标识码:A First—principleCalculationoftheSurfaceEnergyofCu(111) WANGJian—rain。ZHOUJue,LIUJi.dong,XIONGZhi-hua (1.KeyLaboratoryofPhotoElectronic&TelecommunicationofJia...
Cu_111_表面能及功函数的第一性原理计算.pdf,第 24卷 第 1期 江西科学 Vo.l 24 N o. 1 2006年 2月 JIANGX I SCIENCE F b. 2006 : 100 1- 3679( 2006) 01- 000 1- 03 Cu( 111) 1 2 1 1 王建敏 , 周珏 , 刘继东 , 熊志华 ( 1. , 3300 13; 2. , 330003) : 应用基于局域密度
摘要: 应用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了铜体材料的结合能及晶格常数的理论值,并由此计算了Cu(111)面的表面能及功函数.计算所得到结果与实验数据吻合较好.关键词:第一性原理 表面能 功函数 Cu(111) DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2006.01.001 被引量: 14 ...
CO在K/Cu(111)表面吸附的功函数变化 K覆盖的Cu(111)表面在室温下可吸附CO(可能是分解吸附),在K的覆盖度θ_k明显小于θ_(min)(θ_(min)=0.18)的范围内,室温下CO的吸附使表面功函数增大.当θ_k≥θ_(min)时... 李海洋,朱立 - 《物理学报》 被引量: 2发表: 1991年 ...
N(x)↑金属铜-绝缘体-p型硅构成的MOS结构,其中p型硅杂质浓度为NA,铜的功函数为4.2eV,硅的电子亲和能为4.05eV,N其中绝缘层厚度为d(1)在金属Cu上加偏压V多大时,p型硅体内载流子数最x少?试求出V、xa及此时表面空间电荷层的单位面积电容Cd图8-6题8.5-12图(2)当绝缘层体电荷浓度N(x)如图8-6所示时,求...
PbSe已找到，只提供Cu2-xSe的功函数就行了，谢谢！
Cu(111)表面能及功函数的第一性原理计算 王建敏;周珏;刘继东;熊志华 【期刊名称】《江西科学》 【年(卷),期】2006(24)1 【摘要】应用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了铜体材料的结合能及晶格常数的理论值,并由此计算了Cu(111)面的表面能及功函数.计算所得到结果与实验数据吻合较好. 【总页数】...
本发明公开了一种双金属功函数栅的可重构场效应晶体管,该晶体管包括纳米线沟道,包裹在纳米线沟道外侧的栅极氧化物,纳米线沟道一端的源极,纳米线沟道另一端漏极,分别设置在源极和漏极外侧采用不同金属功函数的控制栅极和极性栅极,分别设置在源极和控制栅极之间,漏极和极性栅极之间的边墙,设置在栅极氧化物外侧,控...
制备层压材料层的方法为:先在高K介质层上制备第一功函数层,在制备第一功函数层的过程中逐渐增加其厚度,直到第一功函数层的厚度达到第一厚度为止;在第一功函数层上制备第二功函数层,在制备第二功函数层的过程中逐渐增加其厚度,直到第二功函数层的厚度达到与第一功函数层的厚度比为3时为止;在第二功函数层上...
Cu_111_表面能及功函数的第一性原理计算,Cu_111_表面能及功函数的第一性原理计算,表面能计算原理说明,表面能,表面能与接触角的关系,表面能和表面张力,低..