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商标名称 CTGS 国际分类 第42类-网站服务 商标状态 商标已注册 申请/注册号 66271787 申请日期 2022-07-29 申请人名称(中文) 江西中检通检测服务有限公司 申请人名称(英文) - 申请人地址(中文) 江西省吉安市泰和县澄江大道富瑞浅水湾思15栋 申请人地址(英文) - 初审公告期号 1817 初审公告日期 2022-11-27 ...
ctgs 晶体生长流程 英文回答: CTGS (Czochralski Technique for Growth of Single Crystals) is a widely used method for growing single crystals. It involves the process of slowly pulling a seed crystal from a melt, allowing it to grow into a larger crystal with a uniform structure. The first st...
CTGS过程的第一步是准备熔融物。这包括在一个由石英或铂等高温耐用材料制成的坩埚中熔化所需材料。然后,精确控制熔融物的温度和成分以达到所需的条件。 熔融物准备好后,将种子晶体小心地浸入熔融物中。种子晶体作为大晶体生长的起点。种子晶体连接在一根杆子或金属丝上,从熔融物中缓慢向上拉出。随着种子晶体的拉动...
CTGS晶体生长过程的第一步是准备熔体。起始材料通常是高纯度的元素或化合物,它们被混合在一起,在坩埚中高温熔化。熔体的组成和纯度对于获得高质量的晶体至关重要。 一旦熔体准备好,就会将种子晶体小心地放置在熔体表面。种子晶体充当单晶体生长的模板。种子晶体通常附着在一根杆子或线上,同时缓慢向上拉动并旋转。这种向...
商标名称: CTGS 申请/注册号: 66271787 商标类型: 普通商标 是否共有商标: 否 商标申请日期: 2022-07-29 初审公告日期: 2022-11-27(1817期公告) 注册满三年日期: 2026-02-28 国际分类: 42类 设计研究 商标状态: 已注册 商标形式: - 优先权日期: ...
最有前途的候选者之一是Ca 3 TaGa 3 Si 2 O 14 (CTGS)。与Si相比,CTGS具有不同的表面化学性质,因此对常见污染物具有不同的亲和力。与Si相比,完善的清洁程序将产生不同的结果,因此,开发一种能够尽可能彻底地去除污染物并在薄膜沉积之前产生相同表面条件的清洁程序变得重要。因此,对两种基板的表面进行详细分析...
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ctgs 晶体生长流程 英文回答: CTGS (Czochralski Technique with Gradient Solidification) is a method used for the growth of single crystals, particularly in the field of semiconductor materials. The process involves slowly pulling a seed crystal out of a melt, allowing it to cool and solidify into...
类似零件编号 - CTGS32-390K 制造商 部件名 数据表 功能描述 Central Technologies CTGS32F 328Kb / 1P Power Inductors - Unshielded CTGS32F-100M 328Kb / 1P Power Inductors - Unshielded CTGS32F-101K 328Kb / 1P Power Inductors - Unshielded CTGS32F-102K 328Kb / 1P Power Inductors - ...