CSD88537NDT 8210 TI德州仪器 SOP8 2年内 ￥3.0000元10~299 个 ￥2.5000元300~2999 个 ￥2.4000元3000~-- 个 深圳市港禾科技有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 CSD88537ND 贴片SOP-8 60V 15A N沟道 MOSFET场效应管 TI/德州仪器 CSD88537ND ...
德州仪器CSD88537ND场效应管(MOSFET)工作原理、参数、应用和引脚 德州仪器CSD88537ND这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。德州仪器CSD88537ND参数 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(R...
TI 的 CSD88537ND 是一款 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET。查找参数、订购和质量信息
CSD88539ND 985Kb/14PCSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs CSD88539ND 961Kb/13PDual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs More results 类似说明 - CSD88537ND 制造商部件名数据表功能描述 Texas InstrumentsCSD88539ND 961Kb/13PDual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs ...
商品型号 CSD88537ND 商品编号 C117439 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.173克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)16A 导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V,8A ...
Features for the CSD88537ND Ultra-Low Qg and Qgd Avalanche Rated Pb Free RoHS Compliant Halogen Free Description for the CSD88537ND This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.Out...
数据: CSD88537ND 双路 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) 描述 这款双路小外形尺寸(SO)-8,60V,12.5mΩNexFET功率MOSFET用途低电流电机控制应用中的半桥。顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 60°C /W,这是在一个厚度...
起订数 10个起批 500个起批 3300个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 CSD88537ND、 TI、 SOT-23-5 商品图片 商品参数 品牌: TI 封装: SOT-23-5 批号: 23+ 数量: 32000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ...
型号 CSD88537ND 技术参数 品牌: TI 型号: CSD88537ND 批号: 2020+ 数量: 2500 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOIC-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 16 A Rds On-漏源导通电阻:...
CSD88537ND 概述 CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs CSD88537ND ,双路60V的N通道NexFET功率MOSFET MOS管 小信号场效应晶体管 CSD88537ND 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: SOIC-8 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: ...