品牌:TI(德州仪器) 型号: CSD87502Q2 商品编号: DS0103676 封装规格: WSON-6(2x2) 商品描述: CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 ...
数据: CSD87502Q2 30V 双路 N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 描述 CSD87502Q2是一款30V,27mΩN沟道器件。它具有两个独立的MOSFET,采用2mm x 2mm SON塑料封装。这两个场效应管(FET)采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。此外,这些NexFET功率MOSFET还可用于适配器,USB输入保护和电池充电应用。两个FET...
MOSFETs TI CSD87502Q2 询价 品牌:TI(德州仪器) 型号: CSD87502Q2 商品编号: DS0103676 封装规格: 商品描述: MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87502Q2T EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 商品详情 EDA模型 商品介绍 MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du ...
CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具 有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑 料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用 于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET™功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度...
CSD87502Q2 是一款 30V、27m? N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少...
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CSD87502Q2 型号:CSD87502Q2 数量:12362 厂商:Texas Instruments 批号:21+ 封装:原装 只做原装正品 假一罚十 Texas Instruments/德州仪器 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求 请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名:
唯样编号 C-CSD87502Q2T 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 未分类 FET类型 2N-Channel FET类型 ...
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075321/csd87502q2-need-jc-parameter 部件号:CSD87502Q2 “线程”中讨论的其它部件:CSD85301Q2,TEST,CSD17318Q2 你(们)好, 客户需要 θJC 的 CSD85301Q2和 CSD87502Q2。
[参考译文] CSD87502Q2:CSD87502Q2的 ESD 额定值 Other Parts Discussed in Thread: CSD87502Q2 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-grou...