系列 CSD25310Q2 晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET 宽度 2 mm 下降时间 5 ns 上升时间 15 ns 典型关闭延迟时间 15 ns 典型接通延迟时间 8 ns 单位重量 6 mg 可售卖地 全国 型号 CSD25310Q2 PDF资料 电子管-场效应管-CSD25310Q2-TI-DFN22-20+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱...
型号 CSD25310Q2 标准包装 3,000 供应商设备封装 6-SON (2x2) 开态Rds(最大)@ Id ,V GS 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide 功率- 最大 2.9W 封装/外壳 6-WDFN Exposed Pad 输入电容(Ciss ) @ VDS 655pF @ 10V 电流- 连续漏极(Id ) @ 25 °C 20A (Ta) 闸...
型号 CSD25310Q2 产地 中国 QQ 1039331715 可售卖地 全国 产品类型 现货 特色服务 一站式配单 ROHS 是 产品说明 全新原装 包装 卷带 封装 WSON6 产品种类 MOS场效应管 批号 新年份 鸿胜芯只做原装正品 报价效率快,准,高 品牌 TI/德州仪器 数量 9802 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
长度 2 mm 系列 CSD25310Q2 宽度 2 mm 商标 Texas Instruments 正向跨导 - 最小值 34 S 下降时间 5 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 15 ns 工厂包装数量 250 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 15 ns 典型接通延迟时间 8 ns 单位重量 6 mg 可售卖地 全国 型号 CSD25310Q2T MMBT5551...
系列: CSD25310Q2 晶体管类型: 1P-ChannelPowerMOSFET 宽度: 2mm 下降时间: 5ns 上升时间: 15ns 典型关闭延迟时间: 15ns 典型接通延迟时间: 8ns 单位重量: 6mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变...
CSD25310Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 品牌名称TI(德州仪器) 商品型号 CSD25310Q2 商品编号 C468254 商品封装 WSON-6(2x2) 包装方式 编带 商品毛重 0.048克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 ...
CSD25310Q2 Type MOSFET Brand Name Original brand Package Type Surface Mount Other attributes Mounting Type SMT/SMD Description MOSFET Place of Origin Original Package / Case standard Operating Temperature Standard Series all type of transistor D/C NEW Application MOSFET driver Supplier Type original man...
系列: CSD25310Q2 晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET 宽度: 2 mm 下降时间: 5 ns 上升时间: 15 ns 典型关闭延迟时间: 15 ns 典型接通延迟时间: 8 ns 单位重量: 6 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选...
问题1: CSD25310Q2是否符合 汽车级标准? AEC-Q100/101/200? 问题2:定义的引脚似乎不同、 漏极和源极正好相反、我是否可以知道哪一个定义是常见的工业封装? Kai 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英...
CSD25310Q2 Type MOSFET Brand Name Original Other attributes Mounting Type Surface Mount Description MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Place of Origin Original Package / Case New D/C New Supplier Type original manufacturer Show more Lead time Customization ...