CSD23202W10 场效应管 TI德州仪器 封装DSBGA4 批次24+ CSD23202W10 161616 TI德州仪器 DSBGA4 24+ ￥0.9700元1~9 个 ￥0.9600元10~99 个 ￥0.9500元>=100 个 深圳市永芯易科技有限公司 1年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 NEXPERIA/安世 场效应管 CSD23202W10 SOT323 21+ CSD23202W10 ...
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网页http://www.ti.com 标志 功能描述12-VP-ChannelNexFETPowerMOSFET 类似零件编号 - CSD23202W10 制造商部件名数据表功能描述 Texas InstrumentsCSD23202W10 1,023Kb/15P[Old version datasheet]CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET More results...
CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET查看详情 DSBGA-4 6周 2008年 ¥0.500 TI数据手册 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 代替型号 下载TI官方数据手册 CSD23202W10 全球供应商
CSD23202W10由TI(德州仪器)设计生产,立创商城现货销售。CSD23202W10价格参考￥1.16。TI(德州仪器) CSD23202W10参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):2.2A;导通电阻(RDS(on)):44mΩ@4.5V,0.5A;耗散功率(Pd):1W;阈值电压(Vgs(th)):600mV
制造商 部件名 数据表 功能描述 Texas Instruments CSD23202W10 1,023Kb / 15P [Old version datasheet] CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET More results 类似说明 - CSD23202W10T 制造商 部件名 数据表 功能描述 Texas Instruments CSD23202W10 1,023Kb / 15P [Old version datasheet] ...
系列: CSD23202W10 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 1 mm 正向跨导 - 最小值: 5.6 S 下降时间: 21 ns 上升时间: 4 ns 典型关闭延迟时间: 58 ns 典型接通延迟时间: 9 ns 单位重量: 200 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...
TI 的 CSD23202W10 是一款 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET。查找参数、订购和质量信息
CSD23202W10 - -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、53 mOhm、閘極 ESD 防護 採用 DSBGA (YZB) 封裝,其中具有 4 個針腳