CSD19534Q5A 场效应管 TI 封装VSON8 集成电路IC CSD19534Q5A 36000 TI VSON8 22+ ￥1.0000元1~-- 个 深圳市润百信科技有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 CSD19534Q5A 场效应管 TI/德州仪器 封装VSONP-8 批号22+ CSD19534Q5A ...
型号: CSD19534Q5A 封装: VSONP-8 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 15.1 mOhms Vgs ...
Id-连续漏极电流 50 A Rds On-漏源导通电阻 15.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在...
型号: CSD19534Q5A 封装: VSON-8 批号: 21+ 数量: 500000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 15.1 mOhms Vgs ...
LM2902QPWRG4Q1 IC芯片网_IC交易网站_电子元器件_芯片采购_半导体芯片IC芯片批次23+ ￥1.00 查看详情 DRV2510QPWPRQ1 IC芯片网_IC交易网站_电子元器件_芯片采购_半导体芯片IC芯片批次23+ ￥1.00 查看详情 INA826AIDGK IC芯片网_IC交易网站_电子元器件_芯片采购_半导体芯片IC芯片批次23+ ￥1.00 查看详情 TPS651...
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型号 CSD19534Q5A 技术参数 品牌: TI 型号: CSD19534Q5A 封装: SON8 批号: 2019+ 数量: 5000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds ...
描述 CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 品牌名称TI(德州仪器) 商品型号CSD19534Q5A 商品编号C114200 商品封装PDFN-8(5x6) 包装方式 编带 商品毛重 0.166克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) ...
CSD19534Q5A 的说明 这款100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡...
Product Folder Sample & Buy Technical Documents Tools & Software Support & Community CSD19534Q5A SLPS483 – MAY 2014 CSD19534Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features •1 Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating ...