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CSD19532KTT CSD19532KTTT 500 13 英寸卷 带 卷带封 装 D2PAK 塑料封装 热插拔 50 电机控制 (1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 3 说明 绝对最大额定值 这款100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功 率MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损 耗...
CSD19532KTT TI (德州仪器) MOS管 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175查看详情 TO-263-3 6周 2015年 ¥10.383 TI数据手册 器件3D模型 规格参数 代替型号 (3) 反馈错误 by FindIC.com CSD19532KTT 全球供应商...
CSD19532KTT 制造商: TI(德州仪器) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 提示: 联系在线客服,获得更多CSD19532KTT价格库存等采购信息!
TIMOSFETCSD19532KTT华秋商城 MOSFET 立即咨询 --- 产品详情 --- 采用D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC...
CSD19532KTT CSD19532KTT 描述 这款100V,4.6mΩ,D2PAK(TO-263)NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 引脚分配 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。最大RθJC< /sub> = 0.6°C /W,脉冲持续时间≤100μs, 占空比≤1%...
Other Parts Discussed in Thread:CSD19532KTT 本人目前需要设计可以输出大电流(100A左右)的脉冲电源,查找了许多产品手册,觉得TI公司的N-MOSFET CSD19532KTT比较符合要求,数据手册里占空比1%时最大漏源极电流Idm可达400A。 但是本人是新手,不知道怎么设计这个电路?有没有类似的电路可供参考?
制造商产品型号:CSD19532KTT 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments) 描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:NexFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 25°C时电流-连续漏极(Id):200A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn...
原产地 Guangdong, China 品牌 original brand 型号 CSD19532KTT 类型1 组件和零件 安装类型 other 描述 other Product Name CSD19532KTT D/C new and original Packing reel PAYMENT Paypal\TT/Trade Assurance Shipping by DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
CSD19532KTT 的特色 Ultra-Low Qg and Qgd Low Thermal Resistance Avalanche Rated Pb-Free Terminal Plating RoHS Compliant Halogen Free D2PAK Plastic Package CSD19532KTT 的說明 This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applic...