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系列 CSD25211W1015 晶体管类型 1 P-Channel 宽度 1 mm 正向跨导 - 最小值 12 S 下降时间 14.2 ns 上升时间 8.8 ns 典型关闭延迟时间 36.9 ns 典型接通延迟时间 13.6 ns 单位重量 1.700 mg 可售卖地 全国 型号 CSD25211W1015 PDF资料 电子管-场效应管-CSD25211W1015-TI-DSBGA-6-21+...
系列: CSD25211W1015 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 1 mm 正向跨导 - 最小值: 12 S 下降时间: 14.2 ns 上升时间: 8.8 ns 典型关闭延迟时间: 36.9 ns 典型接通延迟时间: 13.6 ns 单位重量: 1.700 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,...
部件号:CSD2.5211万W10151015 我的项目使用MOSFET ,浪涌电流,它在主板上串联如下 , 部分芯片的VDS值增加,导致 主板电源电压降低, 无法 正常运行; 我的客户切割 了故障芯片,并拍摄 了内部电路,下图。 图1. 图2. 图1是故障芯片内部电路的横截面图,图2是良好的芯片 ...
CSD75205W1015 298Kb/11PP-Channel NexFET Power MOSFET More results Texas Instruments(TI)是一家公开交易的公司,设计和制造半导体和计算机技术产品。 它成立于1930年,总部位于德克萨斯州达拉斯。 Ti是模拟和数字信号处理(DSP)集成电路以及嵌入式处理器和其他微控制器产品的全球领导者。
系列: CSD25211W1015 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 1 mm 正向跨导 - 最小值: 12 S 下降时间: 14.2 ns 上升时间: 8.8 ns 典型关闭延迟时间: 36.9 ns 典型接通延迟时间: 13.6 ns 单位重量: 1.700 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
CSD25211W1015 P 通道 NexFET 功率 MOSFET 数据: P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) 描述 此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。顶视图R θJA = 119°C /W,这是在厚度为0.06英寸的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上的1英寸 2 2...
商品关键词 CSD25211W1015、 TI、 6-DSBGA(1x1.5) 商品图片 商品参数 品牌: TI 封装: 6-DSBGA(1x1.5) 批号: 22+ 数量: 9013 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: DSBGA-6 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极...