CS65N03 AQ4-G 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET,通过高密度沟槽技术获得,该技术降低了导通损耗,提高了开关性能和增强了雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。 特征: 快速切换 低导通电阻(Rdson≤4.5mΩ) 低栅极电荷 低反向传输电容 100% 单脉冲雪崩能量测试 无卤素 应用: 适配器与充电器的电源开关电路 ...