型号 CS60N03AQ4-G 类型 N沟道 包装 卷 封装 DFN3.3*3.3 极性 N 漏源电压(V) 30 漏极电流(A) 60 导通电阻10V标准值(mΩ) 3.6 导通电阻10V最大值(mΩ) 5.5 导通电阻4.5V标准值(mΩ) 5 导通电阻4.5V最大值(mΩ) 7.5 VGS最大值(V) 2 总栅电荷(nC) 53.5 输入电容(pf) 28...
型号 CS60N03AQ4-G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
华润微授权代理商 CS60N03 AQ4-G N沟道功率MOSFET 描述: CS60N03 AQ4-G是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。 特征: 快速切换 低导通电阻(Rdson≤4.5 mΩ) 低栅极电荷 低反向传输电容 100% 单脉冲雪崩能量测试 无卤...
型号 CS60N03AQ4-G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...