型号 CS60N03AQ4-G 类型 N沟道 包装 卷 封装 DFN3.3*3.3 极性 N 漏源电压(V) 30 漏极电流(A) 60 导通电阻10V标准值(mΩ) 3.6 导通电阻10V最大值(mΩ) 5.5 导通电阻4.5V标准值(mΩ) 5 导通电阻4.5V最大值(mΩ) 7.5 VGS最大值(V) 2 总栅电荷(nC) 53.5 输入电容(pf) 28...
华润微授权代理商 CS60N03 AQ4-G N沟道功率MOSFET 描述: CS60N03 AQ4-G是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。 特征: 快速切换 低导通电阻(Rdson≤4.5 mΩ) 低栅极电荷 低反向传输电容 100% 单脉冲雪崩能量测试 无卤...
起订数 10个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 功率开关晶体管 商品关键词 CS60N03AQ4-G、 CRMICRO华润华晶、 DFN3.3*3.3 商品图片 商品参数 品牌: CRMICRO华润华晶 封装: DFN3.3*3.3 批号: 22+ 数量: 869516 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 ...
华润微授权代理商 CS60N03 AQ4-G N沟道功率MOSFET 描述: CS60N03 AQ4-G是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。 特征: 快速切换 低导通电阻(Rdson≤4.5 mΩ) 低栅极电荷 低反向传输电容 100% 单脉冲雪崩能量测试 无卤...