crss042n10n核心供货商,星际芯城,可自主在线下单! -- -- -- -- 面议 深圳市星际芯城科技有限公司 -- 立即询价 CRSS042N10N 电子元器件 CRMICRO/华润微 封装TO-263 批次新年份 CRSS042N10N 30913 CRMICRO/华润微 TO-263 新年份 ￥1.0000元10~99 个 ...
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CRSS042N10N是一款常见的MOSFET晶体管。它的主要参数包括: 漏源电压(Vds)为100V。 连续漏极电流(Id)为42A。 功耗(Pd)为94W。 导通电阻(Rds(on))为0.042Ω。 封装类型为TO-220。
CRSS042N10N 规格信息: 商品类型MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc) 栅源极阈值电压4V @ 250uA 漏源导通电阻4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C)227W(Tc) 类型N沟道 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:...
型号:CRSS042N10N 品牌:华晶 CS 电流:120A 耐压:100V 封装:TO-263 极性:N 内阻:90mΩ 18926414877 产品详情 CRST045N10N, CRSS042N10N SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6mΩ, 120A 特征 使用CRM(CQ)先进的沟槽技术 极低的导通电阻RDS(ON) 优秀的QgxRDS(ON)产品(FOM) ...
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型号 CRSS042N10N 类型 N沟道 包装 卷 封装 TO-263 漏源电压(V) 100 漏极电流(A) 120 导通电阻10V标准值(mΩ) 3.4 导通电阻10V最大值(mΩ) 4.2 VGS最小值(V) 2 VGS最大值(V) 4 总栅电荷(nC) 90 输入电容(pf) 6722 脉冲雪崩能量(mJ) 256 批号 新年份 数量 100k 品牌...
CRSS042N10N 商品编号 C410926 商品封装 TO-263 包装方式 编带 商品毛重 1.943克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)120A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V,50A ...
CRSS042N10N是由华润微技术公司生产的一款高性能N沟道MOSFET,设计用于能够承载高电压和电流的应用场景,适合于要求较高的电流处理能力并具备较低导通电阻的电子设备。 2. 主要特性 高功率处理能力: CRSS042N10N的额定功率高达227W,能够满足高功率应用的需求,从而在开关操作中展现出优异的性能。 大电流承载能力: 最大...
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