在半导体晶片的制造过程中,化学机械研磨(以下简称CMP)是一道必不可少的工序,随着特征线宽10 nm以下的时代到来,CMP制程要求具备更高的稳定性和良率,这就促使CMP工序除了要求制造设备本身的高品质,其三大耗材研磨液(slurry),研磨垫(pad)和金刚石修整碟(diamonddisk)也必须不断提升品质稳定性,以适应不断提高的品质...