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顾名思义,cmp不是单纯的物理磨削。它结合了化学腐蚀和机械研磨两种方式,以达到去除表面不平整材料、实现原子级平整的目的。 抛光液被不断地滴在抛光垫上,抛光液中的化学成分先与晶圆表面要去除的材料发生轻微化学反应,使其软化,然后抛光头施加压力,并和抛光垫发生相对运动...
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A method of conditioning a CMP polishing pad to attain a desired thickness profile in a polished layer on a wafer is disclosed. The incoming thickness profile of the layer to be polished, the thickness profile of the polishing pad, a polish rate of layer as a function of pressure and the...
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