一、化学机械抛光(CMP)工艺技术的介绍 化学机械抛光,英文全称:Chemical-mechanical polishing,简称CMP,是目前能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术。用这种方法可以真正使得整个硅圆晶片表面平坦化,而且具有加工方法简单、加工成本低等优点。 二、化学机械抛光(CMP)工艺技术的基本原理 CMP技术结...
CMP 全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是普通抛光技术的高端升级版本。其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。
抛光垫（Polishing Pad）是CMP设备中的关键消耗品，覆盖在CMP机台的抛光盘上。当进行cmp工艺时，抛光垫随着抛光垫以一定速度旋转，而晶圆被固定在载片头上，并以一定的压力压在旋转的抛光垫上。抛光垫表面与晶圆表面直接接触，通过摩擦力去除表面材料。抛光垫的作用:1，均匀施加压力：抛光垫通常由柔性材料制成，具有...
CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”,是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点,而在其基础上发展起来的,是磨粒机械磨削和抛光液化学腐蚀作用组合的抛光技术。半导体器件通常要求达到纳米级的平整度,目前最好的工艺是用化学(液体)和机械(垫子)结合起来的方式。化学机械...
化学机械研磨工艺操作的基本介绍以及其比单纯物理研磨的优势介绍。 化学机械研磨 (CMP),全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization,是一种全局平坦化工艺,几乎每一座晶圆厂都会用到,在现代半导体制造中十分重要。 cmp工艺是什么? 顾名思义,cmp不是...
1.CMP 抛光：集成电路制造过程中的关键工艺 1.1.CMP 技术是集成电路生产制造的核心工艺之一 （1）CMP 技术随着芯片制程技术不断进步，经历过铝、铜、低 K 介质、钴等多种材料 技术进步。CMP（Chemical Mechanical Polishing）化学机械抛光概念从 1965 年由 Walsh 等人提出，发展至今已经成为 IC 制造工艺中不可或...
或化学机械平坦化(Chemical Mechanical Polishing 或 Chemical Mechanical Planarization,CMP)是芯片制造的关键工艺之一。 1988年,美国商用机器公司(IBM)最先将CMP工艺应用于4M DRAM 器件的制造。由于介电质、金属材料等通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)工艺沉积在硅片表面,在多层沉积后使硅片表面变得起伏不平,...
化学机械抛光(Chemical-mechanical polishing),简称CMP,是目前能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术。用这种方法可以真正使得整个硅圆晶片表面平坦化,而且具有加工方法简单、加工成本低等优点。 2 CMP技术设备及消耗品 CMP技术所采用的设备及消耗品包括:CMP设备、研浆、抛光垫、后CMP清洗设备、...
CMP(Chemical Mechanical Polishing)化学机械抛光概念从 1965 年由 Walsh 等人提出,发展至今已经成为 IC 制造工艺中不可或缺的环节之一。 在CMP 抛光技术的发 展历程上有几个关键节点,从 0.35μm~0.25μm 技术节点开始 CMP 技术成为唯一可实现 全局平坦化的 IC 关键技术。
CMP，全称为Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是半导体制造中用于去除晶圆表面多余材料，实现全局平坦化的核心技术。在半导体制造过程中，晶圆制造主要包括光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化等七个相互独立的工艺流程。其中，CMP作为关键制程工艺之一，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用...