美国国家材料科学研究所(NIMS)的研究团队开发了世界上第一个n沟道金刚石MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。开发的n沟道金刚石MOSFET为CMOS(互补金属氧化物半导体:计算机芯片中最流行的技术之一)集成电路以及金刚石电力电子技术的发展迈出了关键的一步...
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