2 以第二代半导体(GaAs、InP)为基础的pHMET、HBT、MESFET工艺器件 砷化镓(GaAs)分为三类:HBT、pHEMT、MESFET。频谱范围:1GHz到100GHz,满足低频到高频应用。 射频前端芯片产品中,射频PA采用HBT工艺,RF switch和LNA采用pHEMT工艺。RF switch和LNA已转向SOI工艺,SiGe抢食了一部分GaAs HBT份额,而且有扩大趋势,CMOS已经抢...
MESFET通常由GaAs制成,在微波频率下具有高增益。 MESFET的一个变种是高电子迁移率晶体管(HEMT),也称为结构FET(HFET)或调制掺杂FET(MODFET)。它通常是用具有额外层的GaAs或GaN和肖特基结构成(图5)。耗尽模式是最常见的配置。改进的性能版本是使用pHEMT额外的铟层进一步加速电子运动。这些 器件工作在30 GHz或更高的...
可以使用GaN做不同类型的晶体管,如MESFET,HBT和pHEMT。这些可用于制造MMIC放大器。随着这些新设备的改进,它们将会逐步取代硅,因为它们能够在40 GHz的频率上稳定工作。 GaN制造工艺在不断进步,以降低成本,目前,GaAs继续占主导地位,主要用于具有小信号MMIC,LNA以及低...
MESFET通常由GaAs制成,在微波频率下具有高增益。 MESFET的一个变种是高电子迁移率晶体管(HEMT),也称为结构FET(HFET)或调制掺杂FET(MODFET)。它通常是用具有额外层的GaAs或GaN和肖特基结构成(图5)。耗尽模式是最常见的配置。改进的性能版本是使用pHEMT额外的铟层进一步加速电子运动。这些 器件工作在30 GHz或更高的...
现代FinFET是三维结构,如图2所示,也称为三栅晶体管。FinFET可以在体硅或SOI晶片上实现。该FinFET结构由衬底上的硅体薄(垂直)翅片组成。该通道围绕通道提供了良好的通道三面控制。这种结构称为FinFET,因为它的Si体类似于鱼的后鳍。 图2. Fin-FET结构 ...
GaN也适用于除功率以外的应用放大或转换。可以使用GaN做不同类型的晶体管,如MESFET,HBT和pHEMT。这些可用于制造MMIC放大器。随着这些新设备的改进,它们将会逐步取代硅,因为它们能够在40 GHz的频率上稳定工作。 GaN制造工艺在不断进步,以降低成本,目前,GaAs继续占主导地位,主要用于具有小信号MMIC,LNA以及低电平的手机...
GaN也适用于除功率以外的应用放大或转换。可以使用GaN做不同类型的晶体管,如MESFET,HBT和pHEMT。这些可用于制造MMIC放大器。随着这些新设备的改进,它们将会逐步取代硅,因为它们能够在40 GHz的频率上稳定工作。 GaN制造工艺在不断进步,以降低成本,目前,GaAs继续占主导地位,主要用于具有小信号MMIC,LNA以及低电平的手机...
所以,微波段接收机中的前端器件几乎都采用GaAsMESFET或PHEMT 技术。 6 2.Si双极型工艺 在I啦前端中,除开关和前端功放主要由GaAs实现之外,其余基本上由高 级BJT工艺实现。这是因为双极型器件的截止频率fr很高,工作电流小,所以 功耗也小。此外,双极型器件的噪声也很小,这一点在对噪声要求很严格的应用 中尤其重要...
概述:RFPP2870是一款推挽式放大器,它具有极佳的失真性能和极高的可靠性。RFPP2870采用了 GaN HEMT、GaAs MESFET 和 GaAs pHEMT 片芯,工作频率为 40MHz 至 100MHz... csw_ying2021-04-12 06:30:33 6P9单端SEPP推挽放大器详解 6P9是八脚五极电子管,原设计主要是为电视视频放大而设计的。因其互导高,推动电...
概述:RFPP2870是一款推挽式放大器,它具有极佳的失真性能和极高的可靠性。RFPP2870采用了 GaN HEMT、GaAs MESFET 和 GaAs pHEMT 片芯,工作频率为 40MHz 至 100MHz... csw_ying2021-04-12 06:30:33 推挽ClassB放大器的交越失真的仿真设计 推挽ClassB放大器解决了只能ClassB放大器只能输出半波的问题,但是也存...