金融界2024年12月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“CMOS抗闩锁效应结构”的专利,授权公告号 CN 115036311 B,申请日期为2022年6月。 本文源自:金融界 作者:情报员
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产生闩锁的必要条件cmos电路中的寄生双极型晶体管部分出现闩锁必须满足以下几个条件偏置电源及其有关的电路必须能够提供至少等于pnpn结构脱离阻塞态闩锁效应的防止技术从以上分析可知只要破坏了产生闩锁的三个条件就能有效地避免电路发版图上防止闩锁效应311加粗电源线和地线合理布局电源接触孔减小横向电流密度以便增加并行的...
摘要: 本文较为详细地阐述了体硅CMOS结构中的闩锁效应,分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了 用于分析闩锁效应的集总组件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式。通过分析表明,只要让 CMOS电路工作在安全区,闩锁效应是可以避免的,这可以通过版图设计规则和工艺技术,或者两者相结合的各种 ...
上海华力取得CMOS抗闩锁效应结构专利 |快报 返回搜狐,查看更多 平台声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。
专利名称 CMOS抗闩锁效应结构 申请号 2022107134406 申请日期 2022-06-22 公布/公告号 CN115036311A 公布/公告日期 2022-09-09 发明人 庚润,田志,姬峰 专利申请人 上海华力集成电路制造有限公司 专利代理人 郭四华 专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 H01L27/092(2006.01) ...
CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究 龙恩,陈祝 (成都信息工程学院,四川 成都 610225) 摘要:CMOSScaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发, ...
本发明公开了一种CMOS抗闩锁效应结构,NMOS和PMOS分别形成于高压P阱和高压N阱中.在高压P阱的周侧形成有N阱隔离圈,N阱隔离圈用于从P型半导体衬底隔离NMOS.在N阱隔离圈和高压N阱之间间隔有P阱.PMOS的P+源区,高压N阱,P阱和N阱隔离圈之间形成寄生SCR.在N阱隔离圈的顶部表面形成有肖特基二极管.肖特基二极管的金属...
CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究
本发明公开了一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构,包括设置有保护环结构的NMOS和PMOS,其特征在于,还设置有势垒阱结构,势垒阱设置于NMOS与PMOS的保护环之间,其材质为与衬底杂质类型相反的掺杂区,其深度与体硅CMOS阱的结深相同,势垒阱的电位处于悬浮状态。