由工艺规范确定的各个基本工序、相互关联及将其按一定顺序组合,构成了图2-3所示的P-Well CMOS(B)芯片结构的制程。为实现此制程,在P-Well CMOS(A)制程基础上,消去与引入部分基本工艺,不仅增加了制造工艺,技术难度增大,使芯片结构发生了明显的变化,而且改变了其制程,从而实现P-Well CMOS(B)制程。 由多次
这是逻辑芯片的一个CMOS结构单元的垂直剖面示意图,从上往下看主要有钝化层(保护芯片),金属互连层(把底层的晶体管连接起来形成电路结构),底层晶体管结构层三个部分组成。在一个芯片里面由上百亿这样的结构组成,按一张晶圆切500个芯片来算,那么一张晶圆上面就包含了5万亿个这样的晶体管机构。在生产制造过程中,我们...
7nm CMOS逻辑芯片的主体晶体管结构主要包括NMOS(N-type Metal-Oxide-Semiconductor)和PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)两种类型的晶体管。 1. NMOS晶体管 NMOS晶体管由N型半导体材料构成,其结构包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。在7nm CMOS逻辑芯片中,NMOS晶体管的源极和漏极是金属材料,栅极是...
2017年,索尼推出的CMOS图像传感器IMX400采用三层堆叠式结构:顶层为CIS,中间层为DRAM,底层则是ISP。全新的三层芯片能够在1/120秒内读取1930万像素图片,是IMX318芯片的4倍。这减少了读取每个像素行的时间间隔。这对于缺乏机械快门来控制曝光的智能手机尤其重要。 索尼CMOS图像传感器芯片IMX400的三层堆叠结构 目前全球范围...
本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和它所提供的软件,描绘出芯片...
本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和它所提供的软件,描绘出芯片...
本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。除第1章外,全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和相应的软件,描绘...
本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱 CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV 兼容 CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和它所提供的软件,描绘出...
CMOS芯片结构与制造技术1.4 栅与源、漏结的形成技术1.4栅与源、漏结的形成技术本节将介绍MOS集成电路有源区的栅结构,源、漏结,以及作为漏结扩展部分LDD结构的形成工艺。低掺杂漏区(LDD)结构的特点是不会因栅长度的缩短在源、漏端部产生很强的电场,因
书名:CMOS芯片结构与制造技术 作者名:潘桂忠编著 本章字数:524字 更新时间:2025-02-25 08:45:46 1.6 BiCMOS技术为了充分发挥双极型和CMOS器件的特点,即既有高输入阻抗,又有较大的电流驱动负载能力,这对提高驱动电流、提高电路速度、缩小芯片面积是有好处的,同时又能实现与CMOS工艺技术完全兼容,因而BiCMOS成为一种...