CMOS 电路中的完整器件通常并不是做在体硅上,而是做在一层很薄(2~4 (m)的轻掺杂外延层上,目的是( A、B、D )。A. 避免闩锁效应 B. 提供控制杂质浓度分布的方法。C. 形成SOI隔离结构 D. 使器件具有较好介质完整性与较小漏电流。所谓的漏极,就相当于漏出电子的开口;而中间的栅极,就像控...