本书主要依托 CadenceIC617 版图设计工具与 MentorCalibre 版图验证工具,在介绍新型 CMOS 器件和版图基本原理的基础上,结合版图设计实践,采取循序渐进的方式,讨论使用 CadenceIC617 与 MentorCalibre 进行 CMOS 模拟集成电路版图设计、验证的基础知识和方法,内容涵盖了
在过去的40年间,随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,硅基超大规模集成电路(Very Large-Scale Integration, VLSI)也得到了飞速发展。值得注意的是,自从20世纪60年代集成电路工艺诞生以来,CMOS工艺尺寸的缩减一直遵循摩尔定律的基本法则(每18个月,单位面积上的集成电路器件数量增加一倍)。同时,工艺尺寸的变化也没有涉及体硅...
《芯片设计 CMOS模拟集成电路版图设计与验证:基于Cadence IC 617》是机械工业出版社出版的图书。内容简介 本书主要依托Cadence IC 617版图设计工具与Mentor Calibre版图验证工具，在介绍新型CMOS器件和版图基本原理的基础上，结合版图设计实践，采取循序渐进的方式，讨论使用Cadence IC 617与Mentor Calibr...
本书聚焦CMOS模拟集成电路版图设计领域,从版图的基本概念、设计方法和EDA工具入手,循序渐进介绍了CMOS模拟集成电路版图规划、布局、设计到流片的全流程;详尽地介绍了目前主流使用的模拟集成电路版图设计和验证工具——CadenceIC6.1.7与SiemensEDACalibreDesignSolutions(Calibre);同时展示了运算放大器、带隙基准源、低压差线...
CMOS模拟集成电路版图是CMOS模拟集成电路的物理实现,是设计者需要完成的最后一道设计步骤。它不仅关系到CMOS模拟集成电路的功能,而且也在很大程度上决定了电路的各项性能、功耗和生产成本。任何一颗性能优秀芯片的诞生都离不开集成电路版图的精心设计。 与数字集成电路版图全定制的设计方法不同,CMOS模拟集成电路版图可以看...
7.2低压差线 性稳压器的 版图设计 8.1 LVS错误 1 对话框(RVE 对话框) 2 8.2误连接 3 8.3短路 4 8.4断路 5 8.5违反工艺 原理 8.6漏标 8.7元件参数 错误 作者介绍 这是《芯片设计:CMOS模拟集成电路版图设计与验证:基于Cadence IC 617》的读书笔记模板,暂无该书 作者的介绍。 精彩摘录 这是《芯片设计:CMOS模...
第1章 纳米级CMOS器件 1.1 概述 在过去的40年间,随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,硅基超大规模集成电路(Very Large-Scale Integration,VLSI)也得到了飞速发展。值得注意的是,自从20世纪60年代集成电路工艺诞生以来,CMOS工艺尺寸的缩减一直遵循摩尔定律的基本法则(每18个月,单位面积上的集成电路器件数量增加一倍)。同时...
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三栅FinFET中体反型对Weff的限制效应是三栅CMOS相对于双栅和单栅FD-SOI CMOS栅极版图面积有效率低的根本原因。对于更优的三栅CMOS,则需要更高、更薄的鳍片。我们现在来分析多鳍片FinFET(见图1.16)的版图面积有效率,来指导器件设计。对于给定的Lg和电流,对应于平面单栅MOSFET的栅面积ASG=LgWg,双栅FinFET的面积是...