纯学习贴:BCD工艺是一种单片集成工艺技术,全称为Bipolar-CMOS-DMOS,由意法半导体(ST)于1986年首次推出。它能够在同一芯片上集成双极型晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)三种器件。 BCD工艺的特点 1. 高性能集成:BCD工艺充分发挥了三种器件的优势: • 双极型
在0.25微米以下的CMOS工艺中,STI已取代早期的LOCOS(局部氧化硅)技术成为器件隔离的主流方案。STI工艺通过在硅衬底上刻蚀出浅沟槽并填充二氧化硅绝缘材料来实现器件间的电学隔离。然而,由于硅衬底(热膨胀系数约为2.6×10⁻⁶/°C)与二氧化硅(热膨胀系数约为0.5×10⁻⁶/°C)之间存在显著的热膨胀系数差异,在...