16、在本发明提供的cmos图像传感器,通过优化光电二极管的形状,形成横向的恒定电场,使得电子能够快速地转移到浮动扩散区,并进行像素传输读取,这样图像的成像更加迅速,抑制了图像滞后,提高了图像成像性能。 17、本发明提供的cmos图像传感器的制造方法与本发明提供的cmos图像传感器属于同一发明构思,因此,本发明提供的cmos图像传...
1.一种cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,在所述沟槽的底部和侧壁处注入碳离子或氮离子。 3.根据权利要求2所述的cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,注入所述碳离子或氮离子的能量为3kev～10kev。 4.根据权利要求2所述的cmos图像...
所述cmos像素读取电路中所包括的晶体管的数量根据实际的cmos图像传感器的类型确定,例如:当采用图1所示的3t型cmos图像传感器,所述cmos像素读取电路则包括复位管m1、放大管m2和选择管m3,三者都为nmos管。而当采用图2所示的4t型cmos图像传感器,所述cmos像素读取电路则包括复位管m1、放大管m2、选择管m3和所述转移晶体管...
本发明的目的在于提供一种堆栈式CMOS图像传感器及其制造方法,以解决现有的堆栈式CMOS图像传感器容易出现整行或者整列的黑线或者亮线的问题。 为解决上述技术问题,本发明提供一种堆栈式CMOS图像传感器,所述堆 栈式CMOS图像传感器包括:逻辑晶圆和键合在所述逻辑晶圆上的像素晶圆;其中,所述像素晶圆包括m行n列像素,m行n列...
62.本发明的全局快门cmos图像传感器及其制造方法,采用非均匀存储扩散区(sd)106掺杂来降低存储点的漏电,保证随光电二极管(pd)深度增加,像素增加时,后面读取行的载流子可以全部转移到存储扩散区(sd)106,并保证全局快门晶体管m1开启时,不引起存储扩散区(sd)106中载流子的丢失,并保证逐行(row by row)读出时,即便像素单...
在图2a-2b所示方式制造的背照式cmos图像传感器中,可能有一部分像素失去感光功能(例如图2b中间的n型硅区域),也可能有一部分像素的感光性能与设计值具有较大偏差(例如图2b左侧的n型硅区域)。 图4示出了根据本公开的一些实施例的制造背照式cmos图像传感器的方法的流程图。
图3是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法的流程图; 图4a-图4d是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法各步骤中的器件结构示意图。 具体实施方式 本发明实施例cmos图像传感器中形成有金属杂质吸附结构,所述金属杂质吸附结构由通过对浅沟槽隔离中的内衬氧化层105进行处理形成。对所述内衬氧化层105的处理步骤请参考图3所...
如图3所示,是现有cmos图像传感器的制造方法中采用光刻胶做掩膜进行像素隔离结构的离子注入时的器件结构示意图;这种方法是直接在半导体衬底101的表面形成足够厚度即能实现离子注入阻挡作用的厚度的光刻胶102,之后进行光刻将像素隔离结构的形成区域打开即形成开口103;可以看出,开口103的侧面倾斜,当光刻胶103的厚度变厚之后...
1.一种堆栈式CMOS图像传感器,其特征在于,所述堆栈式CMOS图像传感器包括:逻辑晶圆和键合在所述逻辑晶圆上的像素晶圆;其中,所述像素晶圆包括m行n列像素,m行n列像素分为多个像素块,m、n均为大于等于2的自然数,每个像素块中的像素行数均小于m且像素列数均小于n;所述逻辑晶圆包括多个信号处理器,每个像素块与一个或...