1.一种cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,在所述沟槽的底部和侧壁处注入碳离子或氮离子。 3.根据权利要求2所述的cmos图像传感器的制造方法,其特征在于,注入所述碳离子或氮离子的能量为3kev～10kev。 4.根据权利要求2所述的cmos图像...
图8是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法形成的离子注入硬质掩膜层的开口在俯视面上的照片。 具体实施方式 如图6所示,是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法中像素隔离结构的形成方法的流程图;如图7a至图7i所示,本发明实施例cmos图像传感器的制造方法各步骤中的器件结构示意图;本发明实施例cmos图像传感器的制造方法中,...
1.一种cmos图像传感器,其特征在于,包括衬底,所述衬底中阵列排布有多个光电二极管,相邻所述光电二极管之间设置有深沟槽隔离结构; 2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器,其特征在于,所述气隙结构为连续形的气隙结构,所述气隙结构由靠近所述深沟槽隔离结构的底部的一端贯通至靠近所述深沟槽隔离结构的顶部的一端。 3....
该CMOS图像传感器,包括半导体衬底;至少一个像素单元;多个第一深沟槽隔离结构,用于形成像素单元的边框;多个第二深沟槽隔离结构,形成于像素单元中,通过多个第一深沟槽隔离结构和多个第二深沟槽隔离结构将像素单元分隔出至少三个分区以设置光电二极管,相邻两个光电二极管之间设置有至少一第二深沟槽隔离结构;多个遮蔽区,形成...
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种cmos图像传感器的制造方法,包括:提供基底,所述基底上包括第一区域,所述第一区域为待形成感光元件的区域;提供第一掩模版;以第一掩模版为掩模在所述基底上形成第一图形化掩膜层,暴露出所述第一区域,所述第一区域具有与cmos图像传感器的转移晶体管相邻的第一端;以第一图形化...
51.如图3所示,是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法的流程图;如图4a至图4g所示,是本发明实施例cmos图像传感器的制造方法各步骤中的器件剖面结构图;本发明实施例cmos图像传感器的制造方法包括如下步骤: 52.步骤一、如图4a所示,提供形成有mos晶体管的栅极结构的半导体衬底101,所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层103和栅...
1.本发明涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种cmos图像传感器(cmos image sensor,cis)的制造方法。 背景技术: 2.随着半导体产业的不断发展,集成电路制造工艺正如摩尔定律(大约每18个月芯片上集成元件的数量就翻一番)器件密度不断提高,性能持续提升,计算机、通信以及消费电子的普及,极大地提高经济生产力和生...
为解决上述技术问题,本发明提供的cmos图像传感器的制造方法中cmos图像传感器的像素区中包括多个像素单元,各所述像素单元中包括一个光电二极管;包括如下步骤: 步骤一、对p型掺杂的半导体衬底进行刻蚀在所述光电二极管的形成区域中形成深孔。 所述深孔的根据所述光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对所述光...
1、本发明的目的在于提供一种cmos图像传感器及其制造方法,以解决光生光电二极管载流子转移速度慢的问题。 2、为解决上述技术问题,本发明提供一种cmos图像传感器,包括衬底、垂直栅、光电二极管和浮动扩散区,所述衬底上形成有所述光电二极管,其中,至少部分区域的光电二极管边界宽度从第一侧到第二侧逐渐变大,所述光电二极管...
首先,请参考图1,其为本发明实施例的背照式cmos图像传感器的制造方法的流程示意图。如图1所示,所述背照式cmos图像传感器的制造方法包括: 步骤s10:提供键合在一起的逻辑晶圆和像素晶圆; 步骤s11:采用第一张光罩,以在所述像素晶圆的背面形成焊盘区、第一隔离槽和第二隔离槽; ...