静态功耗是与器件漏电流和供电电压有关系。 绝大多数CMOS器件手册指定一个ICC最大值在10µA~40µA范围,这个范围包括了总的漏电流和其他电路功能可能要求的一些静态电流(在简单的反相器模型中未考虑)。 在CMOS器件中,漏电流ICC(流入器件的电流)与供电电压引起静态功耗。 3.静态电流delta_ICC 静态电流的另一个...
CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器的电路结构和工作原理 VDD PMOS管 VDDUthPUthN S 工作原理：T1 ui=0时：ugs2=VDD，ui D uo T1导通、T2截止，D uo=“１”；T2S NMOS管 ui=1时：T2导通、T1截止，uo=“0”。Complementary-SymmetryMOS CMOS门电路 UCC 负载线 ID ui=“1”uo ui 输出低电平时...
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CMOS反相器的电路结构和工作原理本文介绍了CMOS器件输入、输出级电路所含CMOS反相器的电路结构和工作原理,从理论上分析了CMOS器件的静态功耗是0。然后分析了实际CMOS器件静态电流的来源和产生机理、计算方法。最后分析当输入电平在VCC和GND时,使得输入晶体管没有完全关断,引起静态电流delta_ICC。