输入部分需要有上拉电阻将共模电压拉至正常的值。在这里为1.5V当上拉电阻没有包含在芯片中时,就需要特别小心这部分的电路设计。上拉电阻要尽可能的靠近器件。NMOS晶体管在这里作为一个latch(锁存器),配合一个高速时钟,用来锁存数据。(这里好像是针对TI的某个器件来说的,和典型的CML电路有些不同。) 3.3 VML 接...
小弟最近在设计一个工作在20GHz的除2分频器,用的是最传统的两个CML latch级联的形式,管子的尺寸都很大,电流也在5~10mA左右,可以实现分频的功能。但小弟有一点不明,从瞬态仿真波形上看,一开始(大概前2ns)差分对管并不是差分工作,对管栅极波形基本一致,使得整个电路在正反馈状态,输出为0,不能分频;但2ns以后...
输入部分需要有上拉电阻将共模电压拉至正常的值。在这里为1.5V当上拉电阻没有包含在芯片中时,就需要特别小心这部分的电路设计。上拉电阻要尽可能的靠近器件。NMOS晶体管在这里作为一个latch(锁存器),配合一个高速时钟,用来锁存数据。(这里好像是针对TI的某个器件来说的,和典型的CML电路有些不同。) 3.3 VML 接...
传统的交流耦合cml2cmos电路使用反相器4和反相器5,两者互为输入和输出的互锁(latch)结构,来达到输出信号p和输出信号n不会同时为“1”(逻辑高电平)或者同时为“0”(逻辑低电平)的情况。[0017]本发明的cml电平到cmos逻辑电平转换电路,包括交流耦合级电路、增益放大级电路、幅度和占空比调节级电路;交流耦合级电路接收...
latch需要起到上面所说的作用,就是说当ck2和ck2b错位了,上面信号线翻转为0时,下面线还依然保持为0,此时就是需要latch去做竞争,将下面线拉回为1.需要设计合理的尺寸时此时的latch竞争能力更强。 2021-6-24 14:51:44 评论 举报 王建军 提交评论 只有小组成员才能发言,加入小组>> Analog/RF IC设计 ...
??输入部分需要上拉电阻将共模电压拉到正常值。在这里为1.5V当上拉电阻不包含在芯片中时,需要特别小心这部分的电路设计。上拉电阻应尽可能靠近设备。NMOS晶体管在这里作为一个晶体管latch(锁定器)用高速时钟锁定数据。(这似乎是针对性的TI对于某个设备,和典型的CML电路有些不同。) ...
LVPECL类似于PECL也就是3.3V供电,其在电源功耗上有着优点。当越来越多的设计采⽤以CMOS为基础的技术,新的⾼速驱动电路开始不断涌现,诸如current mode lo gic(CML),votage mode logic(VML),low-voltage differential signaling(LVDS)。这些不同的接⼝要求不同的电压摆幅,在⼀个系统中他们之间的...
LVPECL类似于PECL也就是3.3V供电,其在电源功耗上有着优点。 当越来越多的设计采用以CMOS为基础的技术,新的高速驱动电路开始不断涌现,诸如current mode logic(CML),votage mode logic(VML),low-voltage differential signaling(LVDS)。这些不同的接口要求不同的电压摆幅,在一个系统中他们之间的连接也需要...
设计。上拉电阻要尽可能的靠近器件。NMOS晶体管在这里作为一个 latch(锁存器),配合一个高速时钟,用来锁存数据。(这里好像是 针对TI的某个器件来 说的 , 和典型的 CML 电路有些不同。 ) 3.3 VML 接口结构 德州仪器公司的 voltage-mode logic ( VML) 电平与 LVPECL 兼容。
输入部分需要有上拉电阻将共模电压拉至正常值。,就需要尤其小心这部分电路设计。上拉电阻要尽可能靠近器件。NMOS晶体管在这里作为一个latch(锁存器),配合一个高速时钟,用来锁存数据。(这里仿佛是针对TI某个器件来说,和经典CML电路有些不一样。) VML 接口结构 ...