N+X的序列(longmer sequences),如N+G,N+A的产生主要原因包括:①脱保护试剂冲洗不干净导致N+1杂质的产生;②亚磷酰胺单体自身形成二聚体,然后与5'-OH反应;③新加入的亚磷酰胺单体被偶联两次; 硫代磷酸酯键(PS)产生的非对映异构体和氧化产生PO杂质主要原因:在氧化过程...
sequences),如N+G,N+A的产生主要原因包括:①脱保护试剂冲洗不干净导致N+1杂质的产生;②亚磷酰胺单体自身形成二聚体,然后与5'-OH反应;③新加入的亚磷酰胺单体被偶联两次; 硫代磷酸酯键(PS)产生的非对映异构体和氧化产生PO杂质主要原因:在氧化过程中,使用的氧化试剂可以将已形成的PS键氧化为PO键; 胞嘧啶和5...
Image Copy-Move Forgery Detection and Localization Method Based on Sequence-to-Sequence Transformer Structure CMC-Computers, Materials & Continua, Vol.82, No.3, pp. 5221-5238, 2025, DOI:10.32604/cmc.2025.055739 - 06 March 2025 (This article belongs to the Special Issue: Multimedia Security ...
N-X序列(shortmer sequences),如N-1的产生主要原因包括:①脱保护时间的长短,以及脱保护剂的酸碱性,脱保护反应时间不够/脱保护剂酸性太弱会产生N-1杂质;而脱保护时间又取决于流速和柱子的尺寸;②空间位阻导致脱保护剂脱离效率低产生N-1的杂质; N+X的序列(longmer sequences),如N+G,N+A的产生主要原因包括...
N-X序列(shortmer sequences),如N-1的产生主要原因包括:①脱保护时间的长短,以及脱保护剂的酸碱性,脱保护反应时间不够/脱保护剂酸性太弱会产生N-1杂质;而脱保护时间又取决于流速和柱子的尺寸;②空间位阻导致脱保护剂脱离效率低产生N-1的杂质; N+X的序列(longmer sequences),如N+G,N+A的产生主要原因包括...
(Cleavage and Deprotection,C&D),最终得到我们所需要的序列;然而,在这一过程中,若工艺参数控制不好很有可能会产生一系列的杂质,包括产生N-X序列如N-1,N+X的序列(longmer sequences)如N+G,硫代磷酸酯键(PS)产生的非对映异构体和氧化产生PO杂质,胞嘧啶和5-甲基胞嘧啶脱氨基引起的杂质,其他杂质如碱基脱嘌呤...
Image Copy-Move Forgery Detection and Localization Method Based on Sequence-to-Sequence Transformer Structure CMC-Computers, Materials & Continua, Vol.82, No.3, pp. 5221-5238, 2025, DOI:10.32604/cmc.2025.055739 - 06 March 2025 (This article belongs to the Special Issue: Multimedia Security ...
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学校开设33个本科专业,涵盖社会科学、人文类、数学与计算机等各个领域,其中环境、经济与政治(Environment, Economics, and Politics)专业最强势,还单设有PPE专业,学生还可选修按主题分类的交叉学科性系列课程 "Sequences"。此外,学生完成的所有课程中的三分之一是通识教育要求,包括大一的人文研讨班和写作研讨班、三...
...U.s.e.r 031f: | | | 30 29 ; SEQUENCE (29 Bytes) 0321: | | | | 06 03 ; OBJECT_ID (3 Bytes) 0323: | | | | | 55 1d 25 | | | | | ; 2.5.29.37 Enhanced Key Usage 0326: | | | | 04 22 ; OCTET_STRING (22 Bytes) 0328: | | | | 30 20 ; SEQUENCE (20 Byt...