一、氮化镓GaN器件模型技术进展 从最初扎根于国防应用,到现在探索满足电信基础设施和卫星通信需求的新领域,氮化镓GaN器件正在成为各种应用的标准。由于材料体系的特点,目前代表性氮化镓GaN器件基本都是高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT),该类型器件在高频、高功率、高压领域具
百度爱采购为您找到139家最新的sic mosfet器件模型cmc产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。