题目 在掺杂浓度ND=1016cm-3,少数载流子寿命为10us的n型硅中,如果由于外界作用,少数载流子全部被清除,那么在这种情况下,电子-空穴对的产生率是多大?(Et=Ei)。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:由 少数载流子全部被清除,即p=0,由知 由Et=Ei,,且 即产生率为 反馈 收藏 ...