有一块n型硅样品,额外载流子寿命是1s,无光照时的电阻率是10cm。今用光照射该样品,光被半导体均匀吸收,电子-空穴对的产生率是1022/cm3s,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数载流子的贡献占多大比例? 相关知识点: 试题来源: 解析 解:光照被均匀吸收后产生的稳定额外载流子密度 取,,则额外载流...
如题,近日小虫对合成的ZSM-5进行红外骨架表征,发现在1022cm-1处多出一个峰,而查了很多文献也未找到相关报道,不知哪位大牛可以帮小虫解惑?不胜感激!