您提到的“CL16时序”通常指的是内存(DRAM)的时序参数之一,即CAS Latency(列地址选通延迟),简称CL。这是衡量内存性能的一个重要指标,它表示从内存接收到读取命令到开始读取数据所需的时间周期数。 CL16意味着从内存接收到读取指令开始,到数据实际可用,需要经过16个时钟周期。这个数字越小,内存的响应速度通常就越快...
总的来说，3200频率内存的最佳时序是CL16，但具体选择还需要根据硬件环境和性能需求进行调整。如果不确定如何设置，可以参考主板和内存制造商提供的推荐值，或者咨询专业的技术支持人员。
专注于超频带来的优异效能，并寻找高频率与低延迟并存的最佳组合，芝现在首度将CL16的超低时序突破至4400MHz的惊人速度，提供DDR4-4400 CL16 16GB (8GBx2) 的高速内存方案，具体时序是16-19-19-39，工作电压1.5V。此高速规格拥有顶尖的效能及超频潜力，是极限超频玩家及高端用户梦寐以求的重装配备。
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规格方面,单条容量8GB(两条组成双通道套装),三星B-Die颗粒,频率3200MHz,时序CL16-18-18-38,电压1.35V,支持XMP 2.0。 平台兼容Intel X299 LGA2066、200/300 LGA1151,AMD X399 TR4、300/400 AM4系列。 目前已经开始出货,很快就会上市,但价格暂未公布。
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